[实用新型]大面积孪生磁控溅射源有效
| 申请号： | 200920161716.4 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN201512576U | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩大凯;童洪辉;陈庆川;刘晓波;王军生;赵嘉学;徐丽云;饶敏 | 申请（专利权）人： | 核工业西南物理研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 高尚梅 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大面积 孪生 磁控溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种大面积孪生磁控溅射源，它包括：V型支撑板(4)，在V型支撑板(4)的每个板面上均设有一个屏蔽罩(2)，两个屏蔽罩(2)之间形成气路组合(5)，屏蔽罩(2)与V型支撑板(4)形成的空腔内设有磁控溅射源(1)，与V型支撑板(4)之间设有绝缘垫板(3)，其特征在于：所述的磁控溅射源(1)包括磁钢背板(6)，在磁钢背板(6)的两端分别设有外框(7)，在外框(7)上设有水冷背板(8)，在磁钢背板(6)、外框(7)和水冷背板(8)围成的空腔内设有内磁钢(11)和外磁钢(12)，所述的水冷背板(8)中开有水路通道(13)，在水冷背板(8)的上面设有溅射靶材(10)，溅射靶材(10)两端用靶材压条(9)固定。
2.如权利要求1所述的一种大面积孪生磁控溅射源，其特征在于：磁控溅射源(1)与中频电源连接。
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