[实用新型]一种氮化铝射频电阻有效
申请号: | 200920163297.8 | 申请日: | 2009-07-02 |
公开(公告)号: | CN201478027U | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 刘汛 | 申请(专利权)人: | 深圳市禹龙通电子有限公司 |
主分类号: | H01C13/00 | 分类号: | H01C13/00;H01C1/08;H01P1/00 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 孙丽芳 |
地址: | 518067 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 射频 电阻 | ||
1.一种氮化铝射频电阻,包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰,所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上;其特征在于:所述陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体;电阻浆料形成的电阻体,以及导体浆料形成的输入导体和接地导体连接于所述陶瓷封帽和陶瓷基体之间;所述电阻体通过输入导体与一引线电连接,所述电阻体通过接地导体接地。
2.根据权利要求1所述的一种氮化铝射频电阻,其特征在于:所述输入导体和接地导体分别位于电阻体的两侧。
3.根据权利要求2所述的一种氮化铝射频电阻,其特征在于:所述接地导体为竖直长条状;所述输入导体为“U”形,在所述输入导体的一个端头上设置有用于与所述引线电连接的头部。
4.根据权利要求3所述的一种氮化铝射频电阻,其特征在于:所述输入导体和接地导体在与电阻体电连接后,二者的外边缘分别与所述陶瓷衬底的两个彼此相对的外边缘相平齐;所述接地导体的长度与陶瓷衬底的长度相等。
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