[实用新型]开关电源中功率开关管最大导通占空比的限制电路

权利要求书

1.一种开关电源中功率开关管最大导通占空比的限制电路，其特征在于，包括最大导通占空比限制斜坡补偿模块；

反馈电压输入比较器的正端，比较器的输出连接触发器的复位端，时钟模块产生的时钟脉冲的输入所述触发器的置位端；所述触发器的输出连接驱动模块；所述驱动模块连接功率开关管，用于驱动功率开关管的开通或关闭；

所述最大导通占空比限制斜坡补偿模块的输出连接加法器的一个输入端，所述原边电感电流感应电压连接所述加法器的另一个输入端；所述加法器的输出点连接比较器的负端；

所述最大导通占空比限制斜坡补偿模块，用于当功率开关管的最大导通占空比大于设定值时，增大补偿电压，强制比较器翻转。

2.根据权利要求1所述的开关电源中功率开关管最大导通占空比的限制电路，其特征在于，所述最大导通占空比限制斜坡补偿模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、监测单元和锯齿波产生单元；

所述监测单元，用于监测功率开关管的最大导通占空比，当功率开关管的最大导通占空比大于设定值时，导通第二NMOS管；

第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极相连，第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极相连后接电源；

第二PMOS管的漏极通过第三电阻接地；

所述第一PMOS管的栅极和漏极短接；

所述第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极连接锯齿波产生单元的输出，所述第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极；

所述第二NMOS管的栅极连接监测单元的输出，第二NMOS管的源极通过第二电阻接地；

所述第一电阻连接在第二NMOS管的漏极和源极之间；

第二PMOS管的漏极作为所述最大导通占空比限制斜坡补偿模块的输出。

3.根据权利要求1或2所述的开关电源中功率开关管最大导通占空比的限制电路，其特征在于，所述触发器为RS触发器。

4.根据权利要求1或2所述的开关电源中功率开关管最大导通占空比的限制电路，其特征在于，所述触发器为D触发器。

5.根据权利要求1所述的开关电源中功率开关管最大导通占空比的限制电路，其特征在于，所述功率开关管为三极管、MOS或绝缘栅双极型晶体管IGBT。

6.一种开关电源中功率开关管最大导通占空比的限制电路，其特征在于，包括最大导通占空比限制斜坡补偿模块；

原边电感电流感应电压输入比较器的负端，比较器的输出连接触发器的复位端，时钟模块产生的时钟脉冲的输入所述触发器的置位端；所述触发器的输出连接驱动模块；所述驱动模块连接功率开关管，用于驱动所述功率开关管的开通或关闭；

所述最大导通占空比限制斜坡补偿模块的输出连接减法器的一个输入端，反馈电压连接所述减法器的另一个输入端；所述减法器的输出点连接比较器的正端；

所述最大导通占空比限制斜坡补偿模块，用于当功率开关管的最大导通占空比大于设定值时，增大补偿电压，强制比较器翻转。

7.根据权利要求6所述的开关电源中功率开关管最大导通占空比的限制电路，其特征在于，所述最大导通占空比限制斜坡补偿模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、监测单元和锯齿波产生单元；

所述监测单元，用于监测功率开关管的最大导通占空比，当功率开关管的最大导通占空比大于设定值时，导通第二NMOS管；

第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极相连，第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极相连后接电源；

第二PMOS管的漏极通过第三电阻接地；

所述第一PMOS管的栅极和漏极短接；

所述第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极连接锯齿波产生单元的输出，所述第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极；

所述第二NMOS管的栅极连接监测单元的输出，第二NMOS管的源极通过第二电阻接地；

所述第一电阻连接在第二NMOS管的漏极和源极之间；

第二PMOS管的漏极作为所述最大导通占空比限制斜坡补偿模块的输出。