[实用新型]用于功率半导体器件的控制器件有效
申请号: | 200920166723.3 | 申请日: | 2009-07-31 |
公开(公告)号: | CN201577025U | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | M·卢舍 | 申请(专利权)人: | ABB瑞士有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;王丹昕 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 功率 半导体器件 控制 器件 | ||
1.一种用于功率半导体器件(302)的控制器件(301),包括:
连接(303);
其中所述控制器件(301)设计成用于控制所述功率半导体器件(302)的电流流动;
其中所述连接(303)将所述控制器件(301)连接到所述功率半导体器件(302);
其中所述连接(303)提供一定水平的电感,以致不需要在所述功率半导体器件(302)周围增加缓冲器电路以限制在所述功率半导体器件(302)的关断时电压的升高。
2.如权利要求1所述的控制器件(301),包括:
触发脉冲单元(401);
其中所述触发脉冲单元(401)设计成用于提供电流脉冲以开启所述功率半导体器件(302)。
3.如权利要求1-2中的一项所述的控制器件(301),还包括:
保持电流单元(402);
其中所述保持电流单元(402)设计成用于提供连续的电流以保持所述功率半导体器件(302)处于导通状态。
4.如权利要求1所述的控制器件(301),还包括:
关断单元(403);
其中所述关断单元(403)设计成用于提供电流脉冲以关断所述功率半导体器件(302)。
5.如权利要求1所述的控制器件(301),
其中所述连接(303)将所述控制器件(301)连接到所述功率半导体器件(302)的端子(404),
其中所述连接(303)设计为多层器件。
6.如权利要求1所述的控制器件(301),
其中所述功率半导体器件(302)是晶闸管,
其中所述控制器件(301)是门极驱动器。
7.如权利要求1所述的控制器件(301),
其中所述控制器件(301)具有抵抗电磁场的抗扰性。
8.如权利要求1所述的控制器件(301),
其中所述触发脉冲单元(401)和所述关断单元(403)设计为电路,每个电路包括:
电感器;
其中所述电感器在所述脉冲被释放之前用电流供给能量;
其中所述电流被非常快地换向到所述功率半导体器件(302)的门极(103)。
9.如权利要求1所述的控制器件(301),
其中所述触发脉冲单元(401)和所述保持电流单元(402)设计为电路,每个电路包括:
由分立元件或在印刷电路板(502)上的铜迹线中之一组成的电感器。
10.如权利要求1所述的控制器件(301),
其中所述关断单元(403)包括
并行连接的多个电解电容器(501),以及
并行连接的多个MOSFET。
11.如权利要求10所述的控制器件(301),
其中所述电解电容器(501)设计成用于缓冲所述功率半导体器件(302)的脉冲功率消耗。
12.如权利要求1所述的控制器件(301),
其中所述连接(303)连接到用若干层构成的印刷电路板(502);
其中所述印刷电路板(502)到所述功率半导体器件(302)的所述连接(303)由交替的所述功率半导体器件(302)的门极(103)层和阴极(102)层提供以便提供大约1至2纳亨(nH)的低电感。
13.如权利要求1所述的控制器件(301),还包括:
控制单元(304);
其中从所述控制单元(304)到所述控制器件(301)的通信设计为光纤链路(305)以提供用于所述控制器件(301)的高电压隔离和电磁抗扰性。
14.一种用于控制高电流的系统(300),所述系统包括:
功率半导体器件(302),
如权利要求1至13中的一项所述的用于控制所述功率半导体器件(302)的控制器件(301)。
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