[实用新型]一种抗电磁干扰能力强的屏蔽装置无效
申请号: | 200920172210.3 | 申请日: | 2009-05-23 |
公开(公告)号: | CN201414276Y | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 吴升赋;朱春霞 | 申请(专利权)人: | 吴升赋;朱春霞 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;G12B17/02 |
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地址: | 246122安徽省安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁 干扰 能力强 屏蔽 装置 | ||
(一)技术领域:
本实用新型属于电磁装置,具体涉及一种抗电磁干扰能力强的屏蔽装置。
(二)背景技术:
变频器、高频开关电源、PWM直流电机调速器等都属于较复杂的电力电子装置,随着技术的不断进步,其发展趋势是高压大电流功率电路与低压小电流控制和驱动电路越来越高密度地集成在一起。该类装置的共同特点是主电路上存在高频环流和较大的电流变化率,从而导致EMI问题变得非常突出,成为制约电力电子装置工作能力和可靠性的瓶颈。在主电路高频环流和较大的电流变化率客观存在的情况下,目前市场上对控制和驱动电路进行屏蔽大都采用一块金属平板,其厚度较薄,难以对进行有效屏蔽,效果不佳。
(三)、发明内容:
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、屏蔽效果好、抗干扰能力强的屏蔽装置。
为达到上述目的,本实用新型一种抗电磁干扰能力强的屏蔽装置包括金属底板,该金属底板是一块无损金属平板,金属底板的厚度大于1.5mm,在金属底板的四周分别固定一块高度大于10mm的金属侧板,在金属底板上固定四个高度大于5mm的固定螺柱。
在上述技术方案中,从电磁场理论可知,当通过一个导体的磁场随时间变化时,导体中会产生涡流,它将引起能量损耗并产生去磁效应。根据该原理,可用金属平板抑制高频电流产生的EMI。在理想情况下,如果一个电流回路完全被一个无损金属平板覆盖,那么这个回路不会对处于平板上方的其他回路产生电磁干扰,因为,磁力结很难透过金属屏蔽层,但是实际的金属都有损的,因此要实现比较好的屏蔽效果,要求屏蔽层的厚度要大于被屏蔽磁场在金属中的透入深度。
根据公式:
(四)附图说明:
图1是本实用新型一种抗电磁干扰能力强的屏蔽装置的结构示意图。
(五)、具体实施方式:
下面结合对本实用新型一种抗电磁干扰能力强的屏蔽装置作进一步详细说明。
由图1可见,本实施例包括金属底板1,金属底板1是一块无损的整体金属平板,该金属底板1的厚度大于1.5mm,在金属底板1的四周分别固定一块高度大于10mm的金属侧板2,在金属底板1的四个角附近分别固定一个高度大于5mm的固定控制和驱动线路板的螺柱3。
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