[实用新型]SDR存储器与DDR存储器兼容电路

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及电子设备，特别是一种SDR存储器与DDR存储器兼容电路。

【背景技术】

近年来，随着技术的发展，电子设备正朝着高速高效的方向前进。内存的使用也得到了很大的发展，SDR的使用日益成熟稳定，而DDR也因其高速正在成为应用的主流。在这种情况下，很多芯片应用都支持SDR和DDR的双应用。但这样又带来一个问题，多数电子设备随需求及成本压力会做出配置上的更改，如果因此单独设计两套电路，又造成成本上的极大浪费，并且增加了使用维护的难度，而且增加了产品的研发周期，使产品失去了市场上的竞争力。

【实用新型内容】

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种成本低、结构简单的SDR存储器与DDR存储器兼容电路。

本实用新型是通过以下技术方案解决上述技术问题的：一种SDR存储器与DDR存储器兼容电路，包括SDR存储器、DDR存储器、电阻RM1、RM2，电阻RM18，以及内存电源控制器件，所述DDR存储器的参考电源脚接到电阻RM1及电阻RM2之间的节点，电阻RM2的另一端接地，电阻RM1的另一端接内存电源控制器件的第一端，内存电源控制器件的第二端接3.3V电源，内存电源控制器件的第一端作为VDD输出端，电阻RM18接在DDR存储器的差分时钟信号引脚之间。

使用SDR存储器时，所述内存电源控制器件使用磁珠。

使用DDR存储器时，所述内存电源控制器件采用二极管，二极管的阳极接3.3V电源，阴极作为VDD输出端。

本实用新型SDR存储器与DDR存储器兼容电路的优点在于：将SDR及DDR做成兼容形式，不需制作额外的PCB板，一套PCB板即可实现，节约了成本。通用性高，各类电子产品均可使用。可根据各地市场需求自由变更内存种类，只需要变更三处无源器件的配置即可，简单方便。缩短了产品开发周期，提高了电子产品的市场竞争力。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的描述。

图1是本实用新型SDR存储器与DDR存储器兼容电路的电路原理图。

【具体实施方式】

请参阅图1所示，本实用新型SDR(同步动态)存储器与DDR(双倍数据速率)存储器兼容电路包括芯片ICM1、ICM2，芯片ICM1为54pin SDR存储器，芯片ICM2为66pinDDR存储器。芯片ICM1、ICM2引脚基本一致，芯片ICM2相比ICM1多了参考电源脚(VREF)、接地脚、NC脚、DQS脚及CK脚。

所述SDR存储器与DDR存储器兼容电路还包括电阻RM1、RM2，电阻RM18，以及内存电源控制器件D10。

所述SDR存储器与DDR存储器兼容电路中使用了三处兼容，分别是1、电阻RM1、RM2组成的分压电路；2、电阻RM18；3、内存电源控制器件D10。

其中，DDR存储器的参考电源脚接到电阻RM1及电阻RM2之间的节点，电阻RM2的另一端接地，电阻RM1的另一端接内存电源控制器件D10的第一端，内存电源控制器件D10的第二端接3.3V电源，内存电源控制器件D10的第一端作为VDD输出端，电阻RM18接在DDR存储器的差分时钟信号引脚(CL)之间。

所述电阻RM2作为内存电源控制，使用DDR存储器时电阻RM2与电阻RM1形成分压电路，将电压控制在1.25V，供DDR存储器作为参考电压。使用SDR存储器时电阻RM2配置为0欧姆，将主芯片引脚拉低，起到内存识别功能。

电阻RM18作为DDR存储器的差分时钟信号的桥接电阻，只在DDR存储器中使用，所以使用SDR存储器时，该电阻RM18可不用。

因为SDR存储器与DDR存储器的工作电压不同，SDR存储器的工作电压为3.3V，DDR存储器的工作电压为2.5V。所以当使用SDR存储器时，该内存电源控制器件D10使用磁珠，VDD输出3.3V；而使用DDR存储器时，该内存电源控制器件D10采用二极管1N4147，二极管的阳极接3.3V电源，阴极作为VDD输出端，利用二极管的正向导通压降，使VDD输出2.5V。