[实用新型]单相表信号功率放大电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电能表，具体讲是一种单相表信号功率放大电路。

背景技术

目前有一种单相表信号功率放大电路，包括第一电容、二极管、第一电阻、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；所述N沟道MOS管的栅极接信号输入端、该N沟道MOS管的源极接地，所述P沟道MOS管的源极接电源输入端，所述第一电容一端接N沟道MOS管的栅极，所述第一电容另一端接P沟道MOS管的栅极，所述二极管的正极接P沟道MOS管的栅极，所述二极管的负极接P沟道MOS管的源极。所述第一电阻的一端接P沟道MOS管的源极，所述第一电阻的另一端接P沟道MOS管的栅极。所述第二电阻的一端接N沟道MOS管的漏极，所述第二电阻的另一端接电感的一端，所述第三电阻的一端接P沟道MOS管的漏极，所述第三电阻的另一端接电感的与第二电阻的公共端，所述电感的另一端串联第二电容后接载波芯片。

以上这种结构的单相表信号功率放大电路存在以下缺点：客观上单相表的载波芯片只能采用的是MOSFET工艺，但是由于该载波芯片不推荐驱动容性负载，上述的这套单相表信号功率放大电路的输入是容性的，所以，这就可能导致载波芯片在上电后被损坏。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种能保护载波芯片不被损坏的单相表信号功率放大电路。

本实用新型的技术方案是，提供一种具有以下结构的单相表信号功率放大电路，包括第一电容、二极管、第一电阻、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；它还包括第四电阻，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道MOS管的栅极。

采用上述结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：客观上单相表的载波芯片还是采用的是MOSFET工艺，但是由于增加了第四电阻，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道MOS管的栅极，该电阻起到分压作用，从而能保护载波芯片不被损坏。

附图说明

附图为本实用新型的单相表信号功率放大电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图所示，本实用新型的单相表信号功率放大电路，包括第一电容、二极管、第一电阻、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；所述N沟道MOS管的源极接地，所述P沟道MOS管的源极接电源输入端，所述第一电容一端接N沟道MOS管的栅极，所述第一电容另一端接P沟道MOS管的栅极，所述二极管的正极接P沟道MOS管的栅极，所述二极管的负极接P沟道MOS管的源极。所述第一电阻的一端接P沟道MOS管的源极，所述第一电阻的另一端接P沟道MOS管的栅极。所述第二电阻的一端接N沟道MOS管的漏极，所述第二电阻的另一端接电感的一端，所述第三电阻的一端接P沟道MOS管的漏极，所述第三电阻的另一端接电感的与第二电阻的公共端，所述电感的另一端串联第二电容后接载波芯片。

本实用新型的单相表信号功率放大电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道MOS管的栅极。

为便于看图，所述接地的接地符号记为GND，第一电容记为C35，二极管记为D1、第一电阻记为R7、P沟道MOS管记为Pch、N沟道MOS管记为Nch、第二电阻记为R1、第三电阻记为R2、电感记为L5、第二电容记为C31。