[实用新型]边置式电极的LED芯片器件有效
申请号: | 200920204905.5 | 申请日: | 2009-09-18 |
公开(公告)号: | CN201549530U | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 吴质朴;何畏 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥伦德光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/36 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 边置式 电极 led 芯片 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体器件,尤其涉及一种用作电子设备的背光源、照明的LED芯片器件。
背景技术
随着科技学技术的发展,半导体材料已经得到了广泛的应用。作为背光源的LED贴片器件以其体积小、耗电低、无污染之优点已普遍应用于电子设备中。为适应电子产品的小型化、微型化的要求,作为电子设备基础器件的LED贴片器件,其体积的大小直接影响小型化和微型产品的体积,所以业界一直在努力减小LED贴片器件的厚度。通常的做法是减小LED芯片和PCB的厚度,但降低厚度是有极限的,不能无限减薄。如图1所示,LED贴片器件通常是将LED芯片1置于PCB2上,通过一金线3将LED芯片的电极7与PCB的电路连接。金线与电极的连接为一次焊接-采用金球6焊接,以保证焊接的牢固,金线与PCB电路的连接为二次焊接-采用超声波压焊,效率高。焊接后再封胶完成制作。目前,业界采用一种倒焊的结构方式来降低LED芯片器件的厚度,如图2所示,将金线与电极的连接的一次焊接改为超声波压焊,金线与PCB电路连接的二次焊接改为金球4焊接,如此,金线的一端直接与电极压接,LED芯片的总厚度降低了近一个焊接球的高度。但是,金线与电极的连接不可靠,易出现接触不良甚至开路等状况,(例如用手按压原本不亮的LED封装顶部可使其点亮)。所以这种方式是不理想的,业界还在努力寻找可靠便捷的方式。
发明内容
本实用新型为了解决现有技术中金线与电极的连接不可靠的问题,提出一种连接牢靠、加工便捷的边置式电极的LED芯片器件。
为解决上述问题,本实用新型提出的边置式电极的LED芯片器件,包括PCB、置于该PCB上的LED芯片以及金线,该金线的一端与LED芯片的电极的连接为球体焊接,金线的另一端与PCB电路的连接为超声波压焊。并且将电极设于LED芯片的边缘。
较优的,所述电极和球体均为金质材料制作。
本实用新型将电极设于LED芯片的边缘,金线的一端可以焊接于LED芯片的侧边,而另一端便可以向下方的PCB上直接引线。由于传统的结构中电极设于LED芯片的中部,金线由电极向PCB上引线时,必须将金线高高的弯曲,以免金线与LED芯片边沿接触而产生短路现象。但是本实用新型的金线与LED芯片边沿距离较远,不用担心金线短路,所以可以将金线的曲率降低,使得金线弧度平缓点,从而降低了LED芯片器件的总厚度。焊接可靠性和焊接后的良品率都没有影响。本实用新型制作简单,综合性能优越。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型作详细的说明,其中:
图1是现有LED贴片器件截面的示意图;
图2是现有倒焊金球结构的LED贴片器件的截面示意图;
图3是本实用新型较佳实施例的截面示意图。
具体实施方式
如图1所示,目前传统的LED芯片器件,其中PCB2的最小厚度约为0.18mm、LED芯片1的最小厚度约为0.14mm,用于焊接金球6的高度约为0.04mm,金球以上金线弧度的高度约为0.06mm,总的厚度就大于0.4mm。
如图2所示,倒焊结构的LED芯片器件,其中PCB2的最小厚度约为0.18mm、LED芯片1的最小厚度约为0.14mm,LED芯片1以上金线弧度的高度约为0.06mm,总的厚度就小于0.4mm。
请参阅图3,本实用新型的较佳实施例,一种加强式倒焊球体结构的LED芯片器件,其包括PCB 2、置于该PCB上的LED芯片1以及金线3。该金线的左端与LED芯片1金质的电极7采用金球8焊接,金线的右端与PCB电路采用超声波压焊连接。而电极7设于LED芯片1的右边缘。根据需要,电极7以及金球8可以改用其他材料。其中PCB2的最小厚度约为0.18mm、LED芯片1的最小厚度约为0.14mm,LED芯片1以上金线弧度的高度约为0.07mm,总的厚度就小于0.4mm,封装后总厚度为0.04mm可得以实现。
本实用新型将电极设于LED芯片的边缘,金线的一端可以焊接于LED芯片的侧边,由于金线与LED芯片边沿距离较远,金线的另一端便可以向下方的PCB上直接引线,不用担心金线短路,所以可以使得金线弧度平缓点,从而降低了LED芯片器件的总厚度。焊接可靠性和焊接后的良品率都没有影响。本实用新型制作简单,综合性能优越。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市奥伦德光电有限公司,未经深圳市奥伦德光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920204905.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池盖结构
- 下一篇:SIP基板的封装结构