[实用新型]光罩掩模

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻技术领域，尤其涉及一种光罩掩模。

背景技术

光刻是把光罩上的图形通过曝光多次复制到涂有光刻胶的硅片上，光刻显影后光罩上的图形出现在硅片上。一个光罩上包含了一个或多个芯片所需的图形，硅片表面上涂覆有光刻胶，曝光过程是激光光源发出的紫外光或深紫外光通过对准的光罩，曝光的目的是要把光罩上的图形精确地复制(在规范之内)成光刻胶上的最终图形。

随着硅片关键尺寸不断减小，衍射和干涉成为阻止光罩上的图形有效地转印到硅片上的因素，如，光罩上距离很近的结构间的光衍射和干涉引起光学临近效应，使光刻图像的线宽受附近结构影响。为了补偿光学临近效应，光罩的设计者可以利用计算机算法，对光罩上小特征尺寸生成光学临近修正(OpticalProximity Correction，OPC)，进行光学临近修正的图形，其尺寸小于规范尺寸，属于次设计规范图形(sub design rule patterns)。

光罩上的次设计规范图形复制到硅片表面上的光刻胶上时，易形成剥落缺陷(peeling defects)。有时，并不需要将次设计规范图形复制到光刻胶上，若重新制作一光罩，成本将大大提高，通常的做法是在激光光源与光罩之间设置一光罩掩模。如图1所示，现有技术中的光罩掩模包括不透明区域1和透明区域2，所述透明区域2设置在该光罩掩模的中央，所述不透明区域1包围中央透明区域2，该光罩掩模对次设计规范图形设置在光罩周边的光罩来说，能起到阻止把次设计规范图形复制到光刻胶上的目的，但是，如果仅仅需要遮蔽中间部分的次设计规范图形，现有技术中的光罩掩模不能满足需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种光罩掩模，符合次设计规范图形越来越集中在投影掩模版中间的趋势，满足现行需要。

为了达到上述的目的，本实用新型提供一种光罩掩模，包括不透明区域和透明区域，所述透明区域包围不透明区域。

上述光罩掩模，其中，所述不透明区域设置在该光罩掩模的中央。

上述光罩掩模，其中，所述不透明区域由金属铬材料制成。

上述光罩掩模，其中，所述透明区域由石英材料制成。

上述光罩掩模，其中，所述不透明区域的面积的大小根据实际需要调整。

本实用新型的光罩掩模将不透明区域设置在中间，透明区域包围不透明区域，符合仅仅遮蔽光罩中间部分的实际需要；该光罩掩模的不透明区域其大小、位置和形状可根据实际情况作调整，使得光罩掩模的适用性强。

附图说明

本实用新型的光罩掩模由以下的实施例及附图给出。

图1是现有技术中的光罩掩模的结构示意图。

图2是实用新型光罩掩模的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合图2对本实用新型的光罩掩模作进一步的详细描述。

随着半导体制造技术的发展，光罩的图形密度增大，光衍射和干涉对光刻精度的影响越来越显著，为了补偿光衍射和干涉对光刻精度的影响，次设计规范是光罩的设计者常采取方法，但是次设计规范图形复制到光刻胶上时带来剥落缺陷，在不希望次设计规范图形复制到光刻胶上的场合，用光罩掩模阻挡激光光源发出的紫外光或深紫外光通过该次设计规范图形。如果是仅仅需要遮蔽中间部分(特别是中央位置)的次设计规范图形，现有技术中的光罩掩模只能阻挡激光光源发出的紫外光或深紫外光通过光罩的周边，不能满足现行的需要。

本实用新型的光罩掩模能阻止光源发出的光通过位于光罩中间位置的次设计规范图形，满足现行需要。

本实用新型的光罩掩模包括不透明区域和透明区域，所述透明区域包围不透明区域。

现以一较佳实施例详细说明本实用新型的光罩掩模。

本实施例中，光罩为长方形，光罩掩模设计成与光罩大小相等的长方形。

参见图2，光罩掩模包括不透明区域3和透明区域4，所述不透明区域3设置在该光罩掩模的中间位置，所述透明区域4设置在该光罩掩模的周边，且所述透明区域4包围不透明区域3。

上述不透明区域3是指光源发出的光不能通过的区域，特别是指吸收紫外光或深紫外光的区域。

上述透明区域4是指光源发出的光能通过的区域，特别是指紫外光或深紫外光能透射的区域。

所述不透明区域3的面积的大小、该不透明区域3的形状以及该不透明区域3的位置设置根据实际情况可进行调整，以适应实际需要。

现在，有些次设计规范图形设置在光罩的中央，因此，上述光罩掩模的不透明区域3通常设置在该光罩掩模的中央。