[实用新型]中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘有效

专利信息
申请号: 200920208183.0 申请日: 2009-08-20
公开(公告)号: CN201485283U 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 吴海龙;程佳彪;周积卫;宋瑜 申请(专利权)人: 上海森松压力容器有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C30B29/06
代理公司: 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 代理人: 陈贞健
地址: 201208 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 中心对称 螺旋 导流 通道 多晶 还原 底盘
【权利要求书】:

1.一种中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,包括有底盘法兰(1)和分别位于该底盘法兰(1)的上、下端面的上底板(7)、下底板(3),其特征在于:于所述底盘法兰(1)和上、下底板(7、13)之间装设有第一系列导流板(13)、第二系列导流板(15)和第三系列导流板(17),所述第一、二、三系列导流板(13、15、17)由圆弧形板组成,其围绕所述底盘法兰(1)的中心呈螺旋型等距排布并与所述底盘法兰(1)的内壁形成有呈中心对称的第一螺旋导流通道(14)、第二螺旋导流通道(16)和第三螺旋导流通道(18),所述第一、二、三螺旋导流通道(14、16、18)内端将所述底盘法兰(1)的中心三等分,于所述底盘法兰(1)的中心还装设有与第一、二、三螺旋导流通道(14、16、18)的内端相连通的冷却水出口(6),于所述第一、二、三螺旋导流通道(14、16、18)的末端分别装设有冷却水进口(9)。

2.如权利要求1所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述的第一系列导流板(13)、第二系列导流板(15)与第三系列导流板(17)形成的第一螺旋导流通道(14)、第二螺旋导流通道(16)和第三螺旋导流通道(18)包括有顺流螺旋导流通道、逆流螺旋导流通道以及顺逆联合螺旋导流通道。

3.如权利要求1所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:于所述第一、二、三螺旋导流通道(14、16、18)内设置有与所述底盘法兰(1)的轴向相平行且与所述上、下底板(7、3)相连的混合气体入口短节(5)。

4.如权利要求3所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述的混合气体入口短节(5)呈同心圆周状分布于所述第一、二、三螺旋导流通道(14、16、18)内。

5.如权利要求1所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:于所述底盘法兰(1)的中心还设置有与所述底盘法兰(1)的轴向相平行且与所述上、下底板(7、3)相连的混合气体出口(8)。

6.如权利要求5所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述冷却水进口(9)装设在混合气体出口(8)的外周,于两者之间留有冷却水流动间隙,该冷却水流动间隙的上端与第一、二、三螺旋导流通道(14、16、18)的末端相连通。

7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:沿所述底盘法兰(1)侧壁的径向设置有侧壁冷却水进口(10)和侧壁冷却水出口(12)。

8.如权利要求7所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:于所述上底板(7)的外圆周侧设置有密封衬环(2),其与所述底盘法兰(1)的上端面相连。

9.如权利要求8所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述的底盘法兰(1)的上端面与上底板(7)的下侧面之间设置有环状沟槽(11),其与所述侧壁冷却水进、出口(10、12)连通,并在中间设置隔板(19)将侧壁冷却水进、出口(10、12)之间的最短圆弧隔断。

10.如权利要求9所述的中心对称三螺旋导流通道多晶硅还原炉底盘,其特征在于:于所述第一、二、三螺旋导流通道(14、16、18)内还装设有呈同心圆周状分布的电极座(4),其与所述底盘法兰(1)的轴向相平行且与所述上、下底板(7、3)相连。

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