[实用新型]湿法腐蚀设备有效
| 申请号： | 200920213425.5 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN201611648U | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 谢志勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿法 腐蚀 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种湿法腐蚀设备，包括酸洗槽、热漂洗槽、加热装置和供水装置；所述酸洗槽用于盛放热磷酸，所述热磷酸用于对晶圆表面的氮化硅进行化学剥离；
加热装置的入水口和供水装置之间通过管道连接，加热装置的出水口与热漂洗槽之间通过管道连接，供水装置用于提供常温的去离子水，从供水装置流出的常温去离子水通过加热装置的入水口和供水装置之间的管道流入加热装置后进行加热，加热后的去离子水通过加热装置的出水口与热漂洗槽之间的管道流入热漂洗槽；
其特征在于，所述加热装置的出水口还连接一水阀，所述水阀与所述酸洗槽连接。
2.根据权利要求1所述的湿法腐蚀设备，其特征在于，所述酸洗槽的数目大于或等于一个。
3.根据权利要求1所述的湿法腐蚀设备，其特征在于，在酸洗槽中的热磷酸从酸洗槽中排空后，开启所述水阀，加热后的去离子水通过加热装置的出水口流向酸洗槽。
4.根据权利要求3所述湿法腐蚀设备，其特征在于，所述流向酸洗槽的加热后的去离子水的温度为30摄氏度至80摄氏度。
5.根据权利要求4所述的湿法腐蚀设备，其特征在于，所述流向酸洗槽的加热后的去离子水的温度为40摄氏度至70摄氏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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