[实用新型]功率电晶体的封装构造

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种功率电晶体的封装构造，主要将设置有复数个功率电晶体的基板贴附在承载板上，并对基板进行研磨及切割，以完成功率电晶体的设置。

背景技术

请参阅图1，为习用功率电晶体的封装构造的剖面示意图。如图所示，功率电晶体的封装构造100主要包括有一功率电晶体10及一封装胶体14，其中功率电晶体10主要包括有一基板11，且基板11包括一N+型基板111及一N型磊晶层113，N+型基板111及一N型磊晶层113以层迭的方式设置。

N+型基板111的表面为一汲极12，而N型磊晶层113上掺杂设置有至少一P型井区13。P型井区13内掺杂设置有至少一源极区15，并于源极区15上设置有一源极16。此外N型磊晶层113上还设置有至少一闸极18，并以一绝缘层17隔离N型磊晶层113及闸极18。

藉由上述的构件便已完成功率电晶体10的初步架构，在使用时可透过导线19与汲极12、源极16及闸极18相连接，并可进一步将导线19的另一端与导电架相连接，而有利于进行功率电晶体10的使用，例如在使用时亦可将N+型基板111直接设置在导电架上，并进行导电架与源极16及闸极18的电性连接。此外，在完成上述的连接后可以封装胶体14包覆功率电晶体10，藉此在功率电晶体10外部形成一保护构造。

对习用的功率电晶体10来说，基板11的厚度H往往必须大于200微米以维持功率电晶体10的结构，并避免功率电晶体10的基板11出现碎裂的情形，然而对功率电晶体10来说厚度H的大小将与其串联电阻成正比。由于习用的功率电晶体10的厚度H无法缩减，使其串联电阻无法进一步降低，并容易在使用的过程当中产生较大的热量。

发明内容

本实用新型的主要目的在于提供一种功率电晶体的封装构造，主要将功率电晶体与一承载板相连接，并减少功率电晶体的基板厚度，藉此以降低功率功率电晶体的串联电阻。

本实用新型的次要目的在于提供一种功率电晶体的封装构造，其中在将功率电晶体与承载板连接后，可进一步对功率电晶体的基板进行研磨，藉此有利于缩小功率电晶体的尺寸。

本实用新型的又一目的在于提供一种功率电晶体的封装构造，藉由功率电晶体的基板厚度的减少，将有利于降低串联电阻，并可减少功率电晶体在使用时所产生的热量。

本实用新型的又一目的在于提供一种功率电晶体的封装构造，其中功率电晶体的汲极、闸极及源极皆可透过导电层而连接至基板的同一表面，藉此将可以透过表面粘着技术(SMD)进行功率电晶体的设置，并提高功率电晶体在使用时的便利性。

为实现上述目的，本实用新型采取以下设计方案：一种功率电晶体的封装构造，其包括有：一承载板；一功率电晶体，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以该第一表面的方向与该承载板连接；至少一源极，设置于该基板的第一表面；及至少一闸极，设置于该基板的第一表面。

此外，本实用新型还提供了一种功率电晶体的封装构造，其包括有：一承载板；一功率电晶体，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以该第一表面的方向与该承载板连接；至少一源极，设置于该基板的第一表面；至少一闸极，设置于该基板的第一表面；及至少一汲极，设置于该基板的第一表面。

本实用新型的优点是：有利于缩小功率电晶体的厚度尺寸，从而进一步降低功率电晶体的串联电阻，并可减少功率电晶体在使用的过程当中所产生的热量。

附图说明

图1：为习用功率电晶体的封装构造的剖面示意图。

图2：为本实用新型功率电晶体的封装构造一较佳实施例的剖面示意图。

图3：为本实用新型功率电晶体的封装构造一实施例的剖面示意图。

图4：为本实用新型功率电晶体的封装构造又一实施例的剖面示意图。

图5A至图5E：为本实用新型功率电晶体的封装方法的流程示意图。

图6：为本实用新型功率电晶体又一实施例的封装方法流程图。

以下，兹举本实用新型若干较佳实施例，并配合图式做进一步详细说明：

具体实施方式

请参阅图2，为本实用新型功率电晶体的封装构造一较佳实施例的剖面示意图。如图所示，功率电晶体的封装构造200包括有一承载板210及一功率电晶体20，其中功率电晶体20包括有一基板21，且该基板21包括有一第一表面211及一第二表面212，并以第一表面211的方向连接承载板210。