[实用新型]一种改进的半导体芯片载体无效

专利信息
申请号: 200920216932.4 申请日: 2009-09-25
公开(公告)号: CN201549497U 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 沈幕禹 申请(专利权)人: 绍兴华立电子有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/13
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 连平
地址: 312000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进 半导体 芯片 载体
【说明书】:

技术领域:

实用新型涉及半导体制冷器的技术领域,尤其是涉及一种用于固态加热制冷器件。

背景技术:

半导体芯片载体主要用于关键电子部件、光学系统、医疗仪器及其他装置的精密温度控制,见附图1所示:它由绝缘膜01和固定在绝缘膜01上的铜极片02构成。见附图2所示:现有的半导体芯片载体其铜极片02侧面021以圆弧状与绝缘膜01表面过渡,相邻的两块铜极片02之间过于靠近,容易出现短路现象。

实用新型内容:

本实用新型的目的在于针对现有技术存在的不足之处而提供一种改进的半导体芯片载体,它不容易出现短路现象,工作更为稳定可靠。

为实现上述目的,本实用新型的改进的半导体芯片载体包括有绝缘膜和固定在绝缘膜上的多块铜极片,其中,所述铜极片侧面整体以直角状与绝缘膜过渡。

本实用新型的有益效果在于:由于铜极片侧面与绝缘膜表面整体以直角状过渡,增大了相邻两块铜极片之间的距离,相邻的铜极片不容易因接触而短路,使得半导体芯片载体的工作更为稳定可靠。

附图说明:

下面结合附图对本实用新型做进一步的说明:

附图1为现有的半导体芯片载体的整体结构示意图;

附图2为附图1的侧视图;

附图3为本实用新型的侧视图。

具体实施方式:

以下所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不因此而限定本实用新型的保护范围。

见附图3所示:本实用新型的改进的半导体芯片载体包括有薄片状的绝缘膜10和固定在绝缘膜10上的多块铜极片20,铜极片20侧面21整体以直角状与绝缘膜10过渡,增大了相邻两块铜极片20的实际距离,铜极片20不容易因接触而出现短路现象,使半导体芯片载体的工作更为稳定可靠。

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