[实用新型]粗化表面的LED贴片式封装无效
申请号: | 200920219190.0 | 申请日: | 2009-10-12 |
公开(公告)号: | CN201562692U | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 彭一芳 | 申请(专利权)人: | 金芃 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L25/00;H01L23/31 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 led 贴片式 封装 | ||
1.一种半导体发光二极管封装,其组成部分包括,封装支架、至少一个半导体发光二极管、覆盖物;其中,所述的封装支架包括金属支架和带有凹槽的塑封部件,其中,所述的金属支架包括多片金属部件,所述的多片金属部件包括电极引脚;所述的塑封部件把所述的多片金属部件固定在预定的位置从而形成所述的封装支架;所述的半导体发光二极管键合在所述的凹槽的底部的至少一片金属部件上;所述的覆盖物填充在所述的凹槽中并覆盖所述的半导体发光二极管;其特征在于,所述的覆盖物具有至少一层结构;所述的覆盖物的表面带有粗化结构。
2.根据权利要求1所述的带有粗化表面的半导体发光二极管封装,其特征在于,所述的覆盖物的表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出,该组粗化结构包括:1.从覆盖物的表面向上突起的金字塔阵列结构;2.从覆盖物的表面向上突起的圆锥阵列结构;3.从覆盖物的表面向上突起的圆柱阵列结构;4.从覆盖物的表面向上突起的部分球体阵列结构;5.从覆盖物的表面向上突起的多面体锥型阵列结构;6.从覆盖物的表面向上突起的不规则尖型阵列结构;7.从覆盖物的表面向下凹进去的金字塔阵列结构;8.从覆盖物的表面向下凹进去的圆锥阵列结构;9.从覆盖物的表面向下凹进去的圆柱阵列结构;10.从覆盖物的表面向下凹进去的部分球体阵列结构;11.从覆盖物的表面向下凹进去的多面体锥型阵列结构;12.从覆盖物的表面向下凹进去的不规则尖型阵列结构。
3.根据权利要求1所述的带有粗化表面的半导体发光二极管封装,其特征在于,所述的封装支架是从一组封装支架中选出,该组封装支架包括:正发光贴片式封装支架、侧发光封装支架。
4.根据权利要求1所述的带有粗化表面的半导体发光二极管封装,其特征在于,所述的半导体发光二极管的结构是从一组结构中选出,该组半导体发光二极管的结构包括:正装结构、垂直结构、倒装结构、3维垂直结构。
5.根据权利要求1所述的带有粗化表面的半导体发光二极管封装,其特征在于,所述半导体发光二极管是从一组半导体发光二极管中选出,该组半导体发光二极管包括:直流电驱动半导体发光二极管,交流电驱动半导体发光二极管。
6.根据权利要求1所述的带有粗化表面的半导体发光二极管封装,其特征在于,所述半导体发光二极管是从一组半导体发光二极管中选出,该组半导体发光二极管包括,GaN基半导体发光二极管、GaP基半导体发光二极管、GaNP基半导体发光二极管。
7.根据权利要求1所述的带有粗化表面的半导体发光二极管封装,其特征在于,对于有多个半导体发光二极管的封装,多个半导体发光二极管是以串联方式与电极引脚相连接,或是以并联方式与电极引脚相连接,或是以串联和并联组合的方式与电极引脚相连接,或是以互相独立的方式与电极引脚相连接;电极引脚与外界电源相连接。
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