[实用新型]一种烧结型太阳电池背膜有效
| 申请号： | 200920220239.4 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN201556628U | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;张育政;司琼;夏文进;郑向阳 | 申请（专利权）人： | 苏州中来太阳能材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/048;H01L31/18;B32B3/24;B32B9/04 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 林建军 |
| 地址： | 215550 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：包括网状主体，所述主体两侧包覆有耐候层，再经过高温烧结工艺处理而成。
2.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述两侧耐候层通过网孔连接成一体，并将网孔填充。
3.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述耐候层的厚度为0.003mm～0.03mm。
4.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述耐候层的厚度为0.01mm～0.02mm。
5.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述主体的厚度为0.05mm～0.35mm。
6.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述主体的表面通过辐照或等离子体氟硅氧烷处理形成有氟硅氧烷化成膜层。
7.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述耐候层的表面通过辐照或等离子体氟硅氧烷处理形成有氟硅氧烷化成膜层。
8.如权利要求7所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述氟硅氧烷化成膜层厚度为0.01微米至5微米。
9.如权利要求8所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述氟硅氧烷化成膜层厚度为0.1微米至2微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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