[实用新型]一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置

权利要求书

1.一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，其特征在于，所述装置包括：

靶材，安装在增透膜层生长腔室的底部，并通过匹配箱与射频电源连接；

样品托，安装在增透膜层生长腔室的顶部，所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘，所述样品槽外部设置有压片，所述压片中间设置有孔，孔的形状、大小与碲镉汞器件需要镀膜的区域一致，且所述压片上的孔与所述靶材上下对正。

2.如权利要求1所述的用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，其特征在于，所述样品槽为方形，且两个相对的角上设置有比所述样品槽深更深的装片孔。

3.如权利要求1所述的用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，其特征在于，所述样品槽两侧设置有通孔。

4.如权利要求3所述的用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，其特征在于，所述碲镉汞器件通过簧片、螺钉和压片固定在所述样品盘上，样品盘被安装于所述样品托上。

5.如权利要求1所述的用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，其特征在于，所述增透膜层生长腔室的的侧壁上设置有观察窗。