[实用新型]高热稳定性功率异质结双极晶体管无效

专利信息
申请号: 200920222559.3 申请日: 2009-09-17
公开(公告)号: CN201508838U 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 金冬月;张万荣;谢红云;陈亮;胡宁;肖盈;王任卿 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L29/737 分类号: H01L29/737;H01L29/417;H01L21/331
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 高热 稳定性 功率 异质结 双极晶体管
【权利要求书】:

1.一种高热稳定性功率异质结双极晶体管,其特征在于:同时具有均等的发射极镇流电阻结构和发射极指间距由器件两侧向中心处逐渐增大的对称指间距结构。

2.根据权利要求1所述的晶体管,其特征在于:上述的发射极镇流电阻阻值REC表达式为REC=φkT2C(ΔEC+ΔEV)exp(-ΔEC+ΔEVkT)IC,]]>其中φ为发射结电压温度系数,与器件衬底材料有关;k为波尔兹曼常数;T为器件工作温度;C为常数,与器件发射区和基区掺杂浓度比相关;ΔEC为器件基区重掺杂禁带变窄量,与器件基区掺杂浓度相关;ΔEV为器件发射结价带不连续性能量差,与器件基区和发射区材料相关;IC为集电极电流。

3.根据权利要求1所述的晶体管,其特征在于:所述晶体管的各发射极指间距按照由器件两侧向中心处线性增大的对称形式分布。

4.根据权利要求1所述的晶体管,其特征在于:所述晶体管的各发射极指间距在按照由器件两侧向中心处线性增大的对称形式分布的同时,其相邻的两个或两个以上发射极指间距具有相同的指间距值。

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