[实用新型]一种自动加热的加固磁盘阵列无效
申请号: | 200920225371.4 | 申请日: | 2009-09-02 |
公开(公告)号: | CN201498202U | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 王凯;陈乃阔;张廷银;朱书杉;鹿博 | 申请(专利权)人: | 山东超越数控电子有限公司 |
主分类号: | G11B5/00 | 分类号: | G11B5/00;G11B33/12 |
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地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 加热 加固 磁盘阵列 | ||
1、技术领域
本实用新型涉及磁盘阵列技术领域,具体地说是一种自动加热的加固磁盘阵列。
2、背景技术
市场上多数磁盘阵列设定的工作温度为临界值点以上,然而,在某些特殊应用的场合中,环境温度可能在临界值点以下,这时,CPU等芯片可能无法启动,而磁盘阵列大量的硬盘中,其轴承含有的油也有冻结的危险,为了实现冰点以下的设备启动,需要对关键元器件和部件进行加热,此前常见使用单独的加温模块对硬盘等常温器件加热,以实现机器低温下的启动,独立模块占用空间较大且需要加温开关,由于上述缺陷,而影响本身的普及。
3、发明内容
本实用新型是针对上述现有技术的不足,提供一种自动加热的加固磁盘阵列。
本实用新型的一种自动加热的加固磁盘阵列是按以下方式实现的,结构包括单片机控制电路模块、信号采集模块、磁盘阵列模块、加温模块及反馈模块,其中单片机控制电路模块通过I/O端口与信号采集模块连接设置在一起,磁盘阵列模块及加温模块分别通过控制温度高于临界值点电路的I/O端口及控制温度低于临界值点电路的I/O端口与单片机控制电路模块连接设置在一起,磁盘阵列模块与信号采集模块之间通过传感器控制电路连接设置在一起,加温模块与磁盘阵列模块之间通过加温控制电路连接设置在一起,加温模块与单片机控制电路模块之间通过具有分压电路的反馈模块连接设置在一起,单片机控制电路模块的控制电路采用二级场效应管隔离控制,二级场效应管隔离的第一级采用普通场效应管实现逻辑控制,第二级采用过大电流的场效应管实现大电流的接通。
第一级场效应管通过I/O端口输出端的输出逻辑控制信号控制,同时拉低第二级场效应管的控制端电压。
反馈模块的分压电路是磁盘阵列模块的热敏电阻和加温模块的可调电阻分担电压。
加温模块是电阻值为17欧的定制加热膜。
本实用新型现有技术相比,具有以下突出的有益效果:
(1)以电路板上的系统单片机为核心,实现对加固机多个模块的自动加温,占用空间小,有利于机器的集中化和小型化,同时提高了加固机的环境适应性。
(2)自动化特点,环境适应性强。无需人工干预,在机器中只需要设置一个电源开关即可实现,若温度高于临界值点的温度,磁盘阵列模块直接进入工作状态,若温度低于临界值点的温度,系统自动进入加热状态,当温度上升到足够高时,自动停止加热,磁盘阵列模块自动启动,采用了自动加温模块,在低于临界值点温度的恶劣条件下依然可以正常使用。
4、附图说明
图1为一种自动加热的加固磁盘阵列结构示意图。
附图标记说明:1、电源,2、单片机控制电路模块,3、信号采集模块,4、磁盘阵列模块,5、加温模块,6、反馈模块。
5、具体实施方式
参照说明书附图对本实用新型的一种自动加热的加固磁盘阵列作以下详细地说明。
如图1所示,本实用新型的一种自动加热的加固磁盘阵列,结构包括单片机控制电路模块2、信号采集模块3、磁盘阵列模块4、加温模块5及反馈模块6,其中单片机控制电路模块2通过I/O端口与信号采集模块3连接设置在一起,磁盘阵列模块4及加温模块5分别通过控制温度高于临界值点电路的I/O端口及控制温度低于临界值点电路的I/O端口与单片机控制电路模块2连接设置在一起,磁盘阵列模块4与信号采集模块3之间通过传感器控制电路连接设置在一起,加温模块5与磁盘阵列模块4之间通过加温控制电路连接设置在一起,加温模块5与单片机控制电路模块2之间通过具有分压电路的反馈模块6连接设置在一起,单片机控制电路模块2的控制电路采用二级场效应管隔离控制,二级场效应管隔离的第一级采用普通场效应管实现逻辑控制,第二级采用过大电流的场效应管实现大电流接通,第一级场效应管通过I/O端口输出端的输出逻辑控制信号控制,同时拉低第二级场效应管的控制端电压,反馈模块6的分压电路是磁盘阵列模块4的热敏电阻和加热模块5的可调电阻分担电压,加温模块5是电阻值为17欧的定制加热膜。
本实用新型的一种自动加热的加固磁盘阵列的工作过程如下:
开机按钮按下,电源1首先对单片机控制电路模块2供电,使整个系统先检测温度,由单片机控制电路模块2决定何时发出开机信号,使用单片机控制电路模块2的I/O端口接收从信号采集模块3传输过来的信号,每个信号采集模块3的传感器只占用一个端口,从而实现多路控制。
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