[实用新型]测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置有效

专利信息
申请号: 200920232406.7 申请日: 2009-09-17
公开(公告)号: CN201522397U 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 杨春杰;朱敏杰;侯林;沈专;马跃;王景霄 申请(专利权)人: 江苏林洋新能源有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 南通市永通专利事务所 32100 代理人: 葛雷
地址: 226200 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 测量 晶体 太阳电池 pn 阳极 氧化 装置
【说明书】:

技术领域:

本实用新型涉及一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,属于太阳电池参数测量装置。

背景技术:

pn结是晶体硅太阳电池的核心部分,pn结的测量是评价扩散层质量和选择控制扩散条件必不可少的依据,对于优化和控制扩散工艺,提高太阳电池效率具有重大意义。

目前晶体硅太阳电池pn结测量主要有二次离子质谱法(SIMS)和扩展电阻法(SRP),是近年来发展起来的高端测试手段,具有很高的分辨率、灵敏度、稳定性和准确度,在半导体领域具有广泛的应用。但这类方法测试样品必须为抛光片,而抛光片上的pn结是水平的,与晶体硅太阳电池的pn结状况不同,抛光片的测试结果只能做对比,不代表晶体硅太阳电池pn结的真实情况。而且这些高端测试手段往往需要专门的仪器装置,或在专用实验室内进行,设备价格昂贵,操作复杂。因此有必要建立一套适合大规模生产中简单易行、成本低廉的pn结测量装置。

发明内容:

本实用新型的目的是提供一种根据电化学阳极氧化法测量pn结的原理设计,结构简单,成本低廉、便于操作,适合大规模太阳电池生产的测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置。

为了达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,其特征是:包括直流稳压电源,直流稳压电源与设置在电解槽中的阳极、阴极连接,电解槽中装电解液,阳极为待测硅片,待测硅片是具有绒面结构和pn结的单晶硅片或多晶硅片。

直流稳压电源的输出电压为0~150V,根据氧化层的厚度和均匀性确定直流稳压电源工作电压和时间。

阴极为石墨棒、铂片或铜片。

所述的电解液为四硼酸钠饱和溶液或四氢糠醇和亚硝酸钠的混合液,工作温度为常温。

本实用新型根据电化学阳极氧化法测量pn结的原理设计,结构简单,成本低廉、便于操作,适合大规模太阳电池生产。

附图说明:

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式:

如图1所示,一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,由直流稳压电源1、阳极2、阴极3、电解液4、电解槽5及两根电极电线6和7组成。

所述的直流稳压电源1输出电压为0~150V可调,根据氧化层的厚度和均匀性确定直流稳压电源工作电压和时间。

所述的阳极2为待测硅片,所述硅片是单晶硅片或多晶硅片,所述硅片具有绒面结构和pn结。

所述的阴极3为石墨棒、铂片或铜片。

所述的电解液4为四硼酸钠饱和溶液或四氢糠醇和亚硝酸钠的混合液,工作温度为常温。

具体测量例:

测量对象为制绒扩散后单晶硅片(电阻率0.5~3),将其作为阳极,石墨棒为阴极,配制四硼酸钠饱和溶液为电解液,硅片浸入溶液的单面面积为14.2cm2,直流稳压电源工作电压为50V,通电时间2分钟,本装置可以使待测硅片表面在室温条件下生长约80nm的氧化层,完成晶体硅太阳电池pn测试中关键的步骤。

这套装置相比于SIMS和SRP,所用部件和材料成本低,结构非常简单,操作容易,可以不依赖大型昂贵测试仪器,满足晶体硅太阳电池pn结测量的需要。

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