[实用新型]一种双室多晶硅生长铸锭炉无效
| 申请号： | 200920233479.8 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN201495104U | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王波;文林;范钦满;王泽平;丁红波;管悦 | 申请（专利权）人： | 管悦 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 王彦明 |
| 地址： | 222000 江苏省连云*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生长 铸锭 | ||
【权利要求书】：
1.一种双室多晶硅生长铸锭炉，设有上炉体和下炉体，上炉体固定在机架的上部，下炉体通过开启装置装在机架的下部，其特征在于：上炉体内设有固定的上加热室，上加热室设有由保温材料构成的四壁和上盖，上加热室的底部设有承托坩埚的导热板，在上加热室内设有四周加热体和上加热体，导热板的下面设有与上加热室的四壁扣合的承重板，承重板的中部设有下加热器，在下炉体的正中开有一孔，在上述的孔部位装有下热场容器，下热场容器设置在承重板下方，下热场容器设有带独立循环冷却系统的容器壁，在下热场容器内设有硅液溢流承接器，硅液溢流承接器的上端口设有与承重板对接的密封面，硅液溢流承接器的下端通过升降装置与下热场容器的容器壁相接，在导热板上开有硅液导流孔。
2.根据权利要求1所述的双室多晶硅生长铸锭炉，其特征在于：所述的坩埚为石英坩埚，在石英坩埚的四周设有石墨防护板。
3.根据权利要求1所述的双室多晶硅生长铸锭炉，其特征在于：上加热室的四壁的上部设有红外探测孔，与红外探测孔相对应的在上炉体上装有远红外测量仪。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于管悦，未经管悦许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920233479.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
