[实用新型]30对棒多晶硅还原炉有效

专利信息
申请号: 200920242485.X 申请日: 2009-10-12
公开(公告)号: CN201512417U 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 王姗 申请(专利权)人: 成都蜀菱科技发展有限公司
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610015 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 30 多晶 还原
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种生产多晶硅用的还原炉,特别是一种以提高单炉的产量和降低能耗为目的大对棒数多晶硅还原炉。

背景技术

多晶硅还原炉是生产多晶硅原料的关键设备,同时又是一个高耗能的设备。因此,还原炉的设计和制造,直接影响到产品的产量、质量和生产成本。随着多晶硅市场的竟争日趋激烈,要求多晶硅生产必须做到充分利用生产资料,提高生产效率、降低生产成本。因此,开发大对棒数还原炉为多晶硅生产企业提高产量、质量、节省投资显得尤为重要。

现有的多晶硅还原炉结构由底盘、炉体组成,炉子主体采用不锈钢材料。底盘上设置电极、进气口和还原尾气排气口。从节能降耗、提高生产效率、降低生产成本考虑,其单炉产量有待进一步提高。

发明内容

本实用新型的目的是基于通过详细的设计计算,在结构设计时充分考虑还原炉的生产效率,提高产量和产品质量,对现有多晶硅还原炉底盘和炉体的冷却腔的结构和尺寸进行优化设计,达到提高多晶硅的产量和降低能耗,降低多晶硅生产的成本,提高产品质量和节省投资。

本实用新型的结构特点实现了上述设计目的。本实用新型是一种30对棒多晶硅还原炉,由底盘和炉体构成,在炉体和底盘上设有冷却水腔和冷却水进出水口,底盘上配有电极、进气口和排气口,底盘与炉体采用紧固件连接,其特征在于:

炉体上设有9个用于观察和测量温度的视孔,分上、中、下三层120°均布;

底盘上设置的电极数为30对,在底盘上分三圈在360°上均布:内圈为5对电极,中圈为10对电极,外圈为15对电极,逐圈增加5对;底盘上设有8个进气喷嘴分二圈分布:内圈和中圈电极之间相距180°设有2个进气喷嘴,中圈和外圈电极之间在360°上均匀分布6个进气喷嘴;

底盘中心设有还原尾气的出气口。

为了满足本高产多晶硅用还原炉的生产需要,多晶硅还原炉高度设置大于3.0米。

本实用新型在结构设计时由于采用了在炉子底盘上采用大对数电极、均匀设置多个进气喷嘴,使多晶硅还原炉中反应时的供料气体分布更均匀,反应更充分,多晶硅棒数量更多,更长,生长直径更大,同时还采取了大幅度增加炉体高度和直径等措施,从而显著提高了反应效率和单炉产量,使单炉产量提高到5-6吨。

附图说明

图1是本30对多晶硅还原炉的外观示意图。

图2是炉子底盘电极、进气喷嘴和排气口分布示意图。

实施例1

如图所示,本实用新型是一种高产30对多晶硅还原炉,由底盘9和炉体5构成,底盘与炉体采用法兰盘连接。炉体5和底盘9上设有冷却水腔夹套7,夹套上设有冷却水进出水口。

炉体上设有9个用于观察和测量温度的视孔4,分上、中、下三层120°均布;

底盘上设置的电极数为30对,在底盘上分三圈分布:内圈为5对电极,中圈为10对电极,外圈为15对电极,逐圈增加5对电极;

底盘上设有8个进气喷嘴11,在底盘上分二圈分布:内圈和中圈电极之间设有2个进气喷嘴,中圈和外圈电极之间均匀分布6个进气喷嘴;

底盘中心设有还原尾气的出气口1;

多晶硅棒的高度设计为2500mm,,生长直径为150mm,因此,本30对棒多晶硅还原炉的炉体高度大于3.0米。

由于本30对多晶硅还原炉采用了在炉子底盘上采用大对数电极、均匀设置多个进气喷嘴,使多晶硅还原炉中反应时的的供料气体分布更均匀,反应更充分,多晶硅生长更好更快,同时还采取了相应增加炉体高度和直径等措施,显著提高了多晶硅生产效率,大幅度提高了单炉产量,使单炉产量提高到5-6吨。

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