[实用新型]电子设备的供电装置无效

专利信息
申请号: 200920247742.9 申请日: 2009-10-27
公开(公告)号: CN201523258U 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 张本义 申请(专利权)人: 沈阳晨讯希姆通科技有限公司
主分类号: H02J9/06 分类号: H02J9/06
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 薛琦;朱水平
地址: 110135 辽宁省沈阳市*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 电子设备 供电 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种电子设备的供电装置,特别是涉及一种电源与电池实现平稳切换的电子设备的供电装置。

背景技术

目前,电池与适配器并存为系统供电是手机等电子设备的标准配置。DC(Direct Current,直流电平)插入与拔出时,由于DCDC(直流到直流、不同直流电源值的转换器)的STEP UP(电压递增)工作方式和电容的充放电原因,DCDC的输出并非跳变,因此采用此DCDC输出分压控制电池的通断会存在切换问题,即系统供电电压跌落,尤其当电池电压较低时,此跌落会造成系统复位。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中适配器插入拔出时供电电压跌落而造成系统复位的缺陷,提供一种电源与电池能平稳切换的电子设备的供电装置。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:

一种电子设备的供电装置,其包括一电池,其特点在于,其还包括:一直流电压转换器、一仿真二极管、一MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)以及一三极管,其中,该直流电压转换器的输入端通过一第一分压电阻和一第二分压电阻接地,该直流电压转换器的输出端电连接至一仿真二极管的正极,该仿真二极管的负极与一MOSFET的漏极相连,该MOSFET的源极与该电池的正极相连,该MOSFET的栅极与该三极管的发射极相连,该三极管的发射极还通过一第四分压电阻接地,该三极管的基极通过该第二分压电阻接地,该三极管的集电极通过一第三分压电阻连接至该仿真二极管的正极,同时该三极管的集电极通过一电容接地。

优选地,该第三分压电阻与该第四分压电阻的阻值分别为10KΩ和100KΩ,该电容的容抗为220nF。

本实用新型的积极进步效果在于:能够实现的电源与电池的平稳切换,尤其在电池电压较低情况,避免因插拔电源而出现的系统复位现象,并且实现手段简单,成本低廉。

附图说明

图1为本实用新型的电子设备的供电装置的电路结构图。

具体实施方式

下面结合附图给出本实用新型较佳实施例,以详细说明本实用新型的技术方案。

参考图1,为本实用新型的电子设备的供电装置的电路结构图。该电子设备的供电装置包括:一电池(V1=4.2V),用于对手机日常供电,该电子设备的供电装置还包括:一直流电压转换器(DCDC)A1、一仿真二极管D1,一MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)Q2以及一三极管Q1,其中,该直流电压转换器的输入端通过一第一分压电阻R1和一第二分压电阻R2接地,该直流电压转换器的输出端电连接至一仿真二极管D1的正极,该仿真二极管D1的负极与一MOSFET的漏极相连,该MOSFET的源极与该电池的正极相连,该MOSFET的栅极与该三极管Q1的发射极相连,该三极管Q1的发射极还通过一第四分压电阻R4接地,该三极管Q1的基极通过该第二分压电阻R2接地,该三极管Q1的集电极通过一第三分压电阻R3连接至该仿真二极管D1的正极,同时该三极管Q1的集电极通过一电容C1接地。适当选择第三分压电阻R3、第四分压电阻R4与电容C1的值,可实现插入拔出无跌落切换。本实施例中,该第三分压电阻与该第四分压电阻的阻值分别为10KΩ和100KΩ,该电容的容抗为220nF。也可按此比例选择合适的阻值和容抗。

该电子设备的供电装置是这样实现平稳切换的:当系统仅由电池供电,即适配器(ADAPTER)DC12V未插入时,该三极管Q1截止,该MOSFETQ2饱和,由电池经该MOSFETQ2为系统供电;当适配器与电池同时供电时,第一、第二分压电阻R1、R2分压使该三极管Q1饱和,电压转换器DCDC输出经第三、第四分压电阻R3、R4、三极管Q1与电容C1分压控制该MOSFETQ2使其关断,系统由DCDC供电。

适配器拔出瞬间,三极管Q1关断,该MOSFETQ2的栅极(G端)通过该第四分压电阻R4拉低,使该MOSFETQ2饱和导通;适配器插入时,由于DCDC输出具有电压递增过程,即输出非跳变,同时MOSFETQ 2由导通到截止存在非饱和状态区间,该电容C1起到延时关断MOSFETQ2的作用,保证在该MOSFETQ2开始关断时,DCDC已有较大输出,替代电池供电,达到电源插入拔出系统时输入电压的平稳过渡。

虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式,但是本领域的技术人员应当理解,这些仅是举例说明,在不背离本实用新型的原理和实质的前提下,可以对这些实施方式做出多种变更或修改。因此,本实用新型的保护范围由所附权利要求书限定。

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