[实用新型]铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置有效
申请号: | 200920252219.5 | 申请日: | 2009-12-29 |
公开(公告)号: | CN201655826U | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 李巍;刘兴江;方小红;李微 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 王来佳 |
地址: | 300381 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 太阳电池 缓冲 制备 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于喷淋装置技术领域,尤其是一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置。
背景技术
随着全球不可再生能源的逐渐减少,太阳能作为洁净、可再生能源得到世界各国高度重视。作为第三代太阳能电池的铜铟镓硒(CIGS)等化合物薄膜太阳电池已成学学术界和产业界研究发展的主攻方向。
硫化镉CdS、硫化锌ZnS或碲化镉CdTe等II-VI族化合物薄膜广泛用作薄膜太阳电池缓冲层。目前II-VI族化合物薄膜制备分为两大类:气象法和溶液化学法。气象法主要包括:真空蒸发、分子束外延、溅射、化学气相沉积等。尽管气相法是目前II-VI族化合物薄膜的主要制备技术,但由于材料合成设备昂贵、制备过程复杂,得到的光伏电池成本很高,不能得到大面积的推广应用。溶液化学法主要包括化学浴沉积和电化学沉积,其中化学浴沉积是目前制备薄膜太阳电池缓冲层最常用的方法,该方法成本低,操作简单,可以严格控制缓冲层的厚度、薄膜形貌、晶体结构等,但该方法产能低,重复性差,不适宜连续化规模制备铜铟镓硒太阳电池缓冲层。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供成本低、产能高,薄膜制备重复性强,适宜连续化规模生产的铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置。
本实用新型解决其技术问题是通过以下技术方案实现的:
一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置,由两端带有放卷架和收卷架的传送带、位于传送带上方的镀液喷淋装置、清洗装置及干燥箱构成;镀液喷淋装置由相互垂直并内路相通的两根以上镀液出泵管道和导液管构成,镀液出泵管道通过增压计量泵连接镀液进泵管道,导液管上固装有镀液喷嘴;清洗装置由带有清洗喷嘴的去离子水出泵管 道,通过水泵与去离子水进泵管道连接为一体。
而且,所述传送带下面与镀液喷嘴对应处固装有衬底加热器和衬底加热器下面的废液槽。
而且,所述盛有镀液的容器下面有镀液加热器。
而且,衬底加热器和镀液加热器均串联有热偶单元。
而且,传送带的下面与清洗喷嘴对应处固装有废水槽。
而且,所述镀液进泵管道和镀液出泵管道表面包有电加热套,电加热套上串联有热偶单元。
而且,所述镀液喷嘴为扁口喷嘴、锥口喷嘴、柱状喷嘴或高压喷嘴中的一种。
本实用新型的优点和有益效果为:
1、本实用新型采用喷淋法制备铜铟镓硒太阳电池缓冲层,利用动态结晶原理,采用喷嘴对传送带上的衬底进行水幕状喷淋镀液,极大提高了生产效率;采用增压计量泵,镀液喷淋量得以控制,使喷淋后得到的II-VI族化合物薄膜厚度、均匀度、致密度得到保障,并且成本低,重复性好。
2、本实用新型采用动态结晶原理,使镀液与衬底接触产生结晶,衬底的表面不断与新鲜的镀液相接触,在接触面不断有新结晶的晶体生长出,实现纳米厚度II-VI族化合物薄膜的镀制。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为图1中镀液矩阵喷嘴装置结构示意图;
图3a为图2中镀液喷嘴为瀑布状喷嘴示意图;
图3b为图2中镀液喷嘴为圆锥状喷嘴示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本实用新型作进一步详述,以下实施例只是描述性的,不是限定性的,不能以此限定本实用新型的保护范围。
一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置,创新点如图1所示:由两端带有放卷架4和收卷架15的传送带5、位于传送带上方的镀液喷淋装置10、清洗装置及干燥箱14构成;图2所示,镀液喷淋装置由相互垂直并内路相通的两根以上镀液出泵管道9和导液管20构成矩阵式镀液喷淋装置;镀液出泵管道通过增压计量泵6连接镀液进泵 管道3,导液管上固装有镀液喷嘴19;清洗装置由带有清洗喷嘴12的去离子水出泵管道13,通过水泵16与去离子水容器18中的去离子水进泵管道17连接为一体;所述传送带下面与镀液喷嘴对应处固装有衬底加热器8和衬底加热器下面的废液槽7;所述盛有镀液的容器2下面有镀液加热器1;衬底加热器和镀液加热器均串联有热偶单元(图中未标注);传送带的下面与清洗喷嘴对应处固装有废水槽11;所述镀液进泵管道和镀液出泵管道表面包有电加热套(图中未标注),电加热套上串联有热偶单元(图中未标注);所述镀液喷嘴为扁口喷嘴、图3a所示的瀑布状喷嘴或图3b所示的圆锥状喷嘴。
本实用新型的操作过程:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的