[实用新型]一种上变频混频器和双平衡式上变频混频器

权利要求书

1.一种上变频混频器，包括晶体管M1和M2，和电阻R2、R3，电阻R2、R3分别与晶体管M1、M2的漏极相连，其特征在于，还包括：电流源I1和I2，一端分别与M1、M2的源极相连，另一端接地；电阻R1和运算放大器OP1和OP2，其中，运算放大器OP1的输出端与晶体管M1的栅极连接，运算放大器OP2的输出端与晶体管M2的栅极连接，运算放大器OP1的反相输入端与晶体管M1的源端连接，运算放大器OP2的反相输入端与晶体管M2的源端连接，运算放大器OP1和OP2的同相输入端分别与输入信号的两端连接，电阻R1两端分别与运算放大器OP1和OP1的反相输入端相连，电阻R2与M1的漏极相连，电阻R3与M2的漏极相连，电阻R2、R3的另一端分别和直流电压源VDD相连。

2.根据权利要求1所述的上变频混频器，其特征在于，所述晶体管为NMOS管，PMOS管或三极管。

3.根据权利要求1或2所述的上变频混频器，其特征在于，所述输入信号为差分输入信号，所述电阻R1两端的节点C1、C2的电压分别等于差分输入信号的电压VIF+和VIF-。

4.根据权利要求2所述的上变频混频器，其特征在于，电阻R1的电流ΔI为，ΔI＝ΔVIF/R1。

5.根据权利要求4所述的上变频混频器，其特征在于，当电流源的电流为I0时，则电阻R2和电阻R3所在的支路的电流分别为I0+ΔI和I0-ΔI。

6.一种双平衡式上变频混频器，其特征在于，包括两个权利要求1的上变频混频器，每个上变频混频器电路分别完成正交IQ信号中I路和Q路的上变频混频。