[实用新型]一种具有陷波图形的介质滤波器和双工器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种具有陷波图形的介质滤波器和双工器，具体涉及一种既可以改善低频带又可改善高频带衰减特性的陷波图形的介质滤波器和双工器。

背景技术

介质滤波器已经用于衰减要求频带的边带。通常，介质滤波器由陶瓷材料制成的介质块以及在该介质块内形成的多个同轴谐振器构成。在介质滤波器中应该要求频带具有最小插入损耗以及频带边带具有最小衰减比。传统介质滤波器要实现频带边带很好的衰减需要在介质滤波器两端增加陷波通孔以及相应的附加空间内形成，当使用介质滤波器的系统设备空间有限时，就只能损失频带边带的衰减特性，无法两者兼顾。

图1A至图1C示出了传统介质滤波器，其中图1A示出了介质滤波器的外形和结构示意图，图1B示出了介质滤波器的等效电路图，图1C示出了介质滤波器的典型频率传播特性曲线图。

图1A所示的介质滤波器包括介质块，该介质块上具有上表面、与上表面平行的下表面以及与上表面和下表面垂直的四个侧面。在介质块内形成有第一贯通孔308、第二贯通孔309、第三贯通孔310、第四贯通孔311。

介质滤波器的下表面和四个侧面涂敷有导电涂层，第一贯通孔308、第二贯通孔309、第三贯通孔310和第四贯通孔311内涂敷有导电涂层，介质滤波器上表面在围绕四个贯通孔的周边部分涂敷有导电涂层，上表面与四个侧面相连的周边导电层315区域涂有导电涂层，第二贯通孔309与第三贯通孔310之间有一导电涂层将正侧面与背侧面导电涂层连接，此导电涂层形成金属感性耦合区320。在上表面第一贯通孔308和第四贯通孔311对应的前侧面303分别设置导电涂层，从而形成一个信号输入衰减器318和一个信号输出衰减器319。

四个贯通孔周围导电涂层区域与周边导电层315区域之间的无涂层区域312形成加载电容器图形。

图1A所示介质滤波器的等效电路见图1B。图1B中的输入端(IN)和输出端(OUT)分别表示图1A中的信号输入衰减器318和信号输出衰减器319。图1A中的第一贯通孔308与第二贯通孔309之间的无涂层距离等效为图1B中的电容C1。图1A中的第三贯通孔310与第四贯通孔311之间的无涂层距离等效为图1B中的电容C2。第二贯通孔309与第三贯通孔310之间的金属感性耦合区320等效为图1B中的电感L。图1C示出了介质滤波器的反射损耗S22和传输特性或衰减特性S32，在低频率点C处形成衰减P1和在高频率点D处形成衰减P2。

随着通信技术对滤波器边带衰减的提高，要求滤波器在通带边带处有更好的衰减。然而，上述传统介质滤波器无法在边带低频率点C和高频率点D处分别形成比P1，P2更好的衰减。当滤波器在AB通带宽度不变时要求在曲线点E、F频率处达到P1、P2时，甚至衰减更好时，上述介质滤波器更是无法实现。如果要达到上述要求，需要在上述传统介质滤波器上再设置两个陷波通孔，如图2所示滤波器中通孔201、202为两个陷波通孔，这样就需要为陷波通孔提供附加空间，不利于器件及其通信设备的小型化。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种具有陷波图形的介质滤波器，该介质滤波器在通带边带处有更好的衰减，从而有利于产品的设计并可减小体积。

为达到上述目的，本实用新型采用的第一技术方案是：

一种具有陷波图形的介质滤波器，具有一个由陶瓷材料构成的介质块，该介质块具有作为开放面的上表面、设有信号输入衰减器和信号输出衰减器的前侧面、涂敷导电层的后侧面、涂敷导电层的左侧面、涂敷导电层的右侧面和涂敷导电层的下表面；该介质块的上表面与下表面之间设有一排贯通孔，所述贯通孔的轴线彼此平行、并列，各贯通孔内壁涂敷导电层以此构成一排谐振器；在上表面上围绕各贯通孔的周边分别涂敷有一块局部导电层，每块局部导电层四周均为无涂层区域，这些无涂层区域相互贯通，其创新在于：在所述无涂层区域上设有至少一条延伸导电层，每条延伸导电层均与后侧面的导电层连接，而且一条延伸导电层延伸至一对相邻贯通孔之间的无涂层区域内；在无涂层区域上还设有一长条形导电层，该长条形导电层位于前侧面与局部导电层之间的无涂层区域内，长条形导电层的中心线与所述延伸导电层的中心线垂直。

上述技术方案中的有关内容解释如下：

1、上述方案中，所述上表面的左侧、右侧和后侧边缘处设有周边导电层，该周边导电层与涂敷于左侧面、右侧面和后侧面上的导电层相连接。

2、上述方案中，所述一排贯通孔数目为四个，即第一贯通孔、第二贯通孔、第三贯通孔和第四贯通孔，所述相邻贯通孔分别为第二贯通孔和第三贯通孔。