[实用新型]铜铟镓锡硫太阳能薄膜电池有效
申请号: | 200920276868.9 | 申请日: | 2009-12-11 |
公开(公告)号: | CN201549520U | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 吴得治;武华 | 申请(专利权)人: | 郑州金土地能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0264;H01L31/0224 |
代理公司: | 郑州异开专利事务所(普通合伙) 41114 | 代理人: | 韩华 |
地址: | 450052 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜铟镓锡硫 太阳能 薄膜 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,尤其是涉及一种铜铟镓锡硫太阳能薄膜电池。
背景技术
单晶硅、多晶硅电池板正越来越多的点缀于城市建筑的屋顶、墙壁,成为一座座所谓的“清洁无污染”的太阳能电站。但是在其背后,却隐藏着一系列高耗能、高污染的生产过程,同时由于太阳能电池用的硅材料属进口高端材料,原材料的高价格导致硅电池板的生产成本非常高,而且目前硅电池板的光电转换率也并不高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种低成本、低污染的铜铟镓锡硫太阳能薄膜电池。
为实现上述目的,本实用新型可采取下述技术方案:
本实用新型所述的铜铟镓锡硫太阳能薄膜电池,它是由减反射膜层、透明电极层、窗口层、过渡层、光吸收层、金属背电极层和衬底层依次叠制而成。
所述减反射膜层为氟化镁薄膜层;所述透明电极层为氟的二氧化锡导电薄膜层;所述窗口层为含铝的氧化锌薄膜层;所述过渡层为n型硫化锌薄膜层;所述光吸收层为铜铟镓硒P型半导体薄膜层;所述金属背电极层为钼-铜合金层;所述衬底层为不锈钢箔或铝箔层。
所述过渡层的厚度为0.05μm;所述光吸收层的厚度为2~3μm。
本实用新型的优点在于以n型硫化锌(ZnS)薄膜层代替了CdS等材料作为薄膜太阳能电池的过渡层,增大了吸收层的太阳光吸收光谱范围,同时避免了含重金属Cd的有害物质的使用;背电极层采用钼-铜(Mo-Cu)合金代替Mo,使得电池与衬底之间的结合更加牢固,提高了电池的成品率。它以独特的性能(光电转换率高达12%-19%,居各种薄膜太阳能电池之首)、低廉的价格(约为单晶硅太阳能电池发电成本的1/4-1/3)、快速的大规模生产工艺以及薄膜结构、可捲曲特性及超常的使用寿命脱颖而出;同时该电池还具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点。该电池柔和、均匀的黑色外观,是对外观有较高要求的使用场所最理想的选择,如大型建筑物的玻璃幕墙等,在现代化高层建筑等领域有很大市场。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图所示,本实用新型所述的铜铟镓锡硫太阳能薄膜电池,它是由氟化镁(MgF2)薄膜减反射膜层1、氟的二氧化锡导电透明电极层2、含铝的氧化锌(ZnO:Al)窗口层3、n型硫化锌(ZnS)过渡层4、铜铟镓硒P型半导体光吸收层5、钼-铜合金(Mo-Cu)金属背电极层6和不锈钢箔或铝箔等衬底层7依次叠制而成;所述过渡层4的厚度为O.05μm;所述光吸收层5的厚度为2~3μm。
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