[实用新型]一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈

权利要求书

1.一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈，其特征在于：它包括：线圈主体及在主体上的金属块，线圈主体为普通的平板线圈。

2.根据权利要求1所述的高频加热线圈，其特征在于：所述的金属块为铜金属块，铜金属块通过销钉或螺丝与主体固定。

3.根据权利要求1或2所述的高频加热线圈，其特征在于：所述的线圈主体及附属结构可以一体加工。

4.根据权利要求1或2所述的高频加热线圈，其特征在于：所述的附属铜金属块外形可以为正方体、长方体、球体、锥体。

5.根据权利要求1或2所述的高频加热线圈，其特征在于：所述的铜金属块在平板线圈的某同心圆周上均匀分布，相邻两铜金属块之间的圆心角θ和该同心圆周上铜金属块的数目n具有以下关系：θ＝360°/n。

6.根据权利要求1或2所述的高频加热线圈，其特征在于所述的铜金属块在平板线圈的某同心圆周上非均匀分布。