[实用新型]带控制接口的小型断路器无效
申请号: | 200920283228.0 | 申请日: | 2009-12-30 |
公开(公告)号: | CN201556570U | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 陈惠桐;刘镇阳;刘驰;陈美君;刘志文;李国平;芮丹平 | 申请(专利权)人: | 金陵科技学院;刘镇阳;陈惠桐 |
主分类号: | H01H47/02 | 分类号: | H01H47/02;H01H51/01 |
代理公司: | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 211169 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 接口 小型 断路器 | ||
技术领域
本实用新型属于一种断路器装置,尤其涉及家用小型断路器装置领域。
背景技术
已知技术的家用小型断路器装置是小型断路器,小型断路器主要应用在家庭嵌墙式配电箱中,应用非常普及。已知家用小型断路器装置功能有限,正常操作只能是手动的。
磁保持继电器是近几年发展起来的一种新型继电器,也是一种自动开关。磁保持继电器最早是主要用于IC卡预付费电表、集中抄表系统中。磁保持继电器虽然是一种自动开关,但需要有控制电路配合才能实际使用。在物联网到来的时代,智能家居会走进普通百姓家,需要发展一成本低,既满足普通百姓使用习惯,又能提供智能控制的家用小型断路器。
发明内容:
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种带控制接口的小型断路器。
本实用新型的技术方案如下:带控制接口的小型断路器,包括壳体、磁保持继电器、驱动电路、控制接口,控制信号通过控制接口输入所述驱动电路;驱动电路驱动所述磁保持继电器动作。
所述控制接口包括工作电源端口、控制信号端口Ia、Ib;所述驱动电路包括电阻R1、R2、晶体管Q3、Q4、Q5、Q6、端口Oa、Ob;所述磁保持继电器包括端口A、B。
电阻R1、R2的一端、晶体管Q3、Q4的发射极连接工作电源;电阻R1的另一端连接控制信号端口Ib、晶体管Q4、Q5的基极;电阻R2的另一端连接控制信号端口Ia、晶体管(Q3、Q6的基极;端口Oa与晶体管Q3的集电极、晶体管Q5的发射极、端口A连接;端口(Ob)与晶体管Q4的集电极、晶体管Q6的发射极、端口B连接;晶体管Q5、Q6的集电极接地。
还包括保护电路,用以避免当控制信号端口Ia、Ib同时为0时,所述驱动电路的损坏。所述保护电路包括晶体管Q1、Q2,晶体管Q1、Q2的集电极连接工作电源;晶体管Q1、Q2的基极分别与控制信号端口Ib、Ia连接;晶体管Q3、Q4的发射极与工作电源断开,并分别与晶体管Q1、Q2的发射极相连。
当Ia为0,Ib为1时,工作电源经晶体管Q1、Q3、端口Oa进入端口A,并经端口B、端口Ob、晶体管Q6接地,晶体管Q2、Q4、Q5均截止;当Ia为0,Ib为1,维持100ms后,就完成了磁保持继电器的闭合。
当Ia为1,Ib为0时,工作电源经晶体管Q2、Q4、端口Ob进入端口B,并经端口A、端口Oa、晶体管Q5接地,晶体管Q1、Q3、Q6均截止;当Ia为1,Ib为0,维持100ms后,就完成了磁保持继电器的断开。
所述工作电源电压为DC12V。所述电阻R1、R2为51KΩ。所述晶体管Q3、Q4、Q5、Q6型号为9012,晶体管Q1、Q2型号为9013。
本实用新型与现有技术相比具有的有益效果是:增加了电动控制接口,可以实现自动控制和远程遥控,使家用小型断路器直接实现智能控制;带控制接口的小型断路器应用于智能家居,配合智能控制器可以实现对家庭用电设备的自动和远程遥控;驱动电路采用低成本方案,实用可靠,有利于大量普及使用。
附图说明:
图1为本实用新型电路结构框图;
图2为本实用新型电路原理图;
图3为驱动电路控制脉冲时序示意图。
具体实施方式:
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作详细描述。
如图1、2所示,带控制接口的小型断路器,包括壳体、磁保持继电器4、驱动电路3、控制接口1、保护电路2,控制信号通过控制接口1输入所述驱动电路3;驱动电路3驱动所述磁保持继电器4动作。
控制接口1包括工作电源端口VDD、控制信号端口Ia、Ib;所述驱动电路3包括电阻R1、R2、晶体管Q3、Q4、Q5、Q6、端口Oa、Ob;所述磁保持继电器4包括端口A、B;保护电路2包括晶体管Q1、Q2,用以避免当控制信号端口Ia、Ib同时为0时,所述驱动电路的损坏。
电阻R1、R2的一端、晶体管Q1、Q2的集电极连接工作电源;电阻R1的另一端连接控制信号端口Ib、晶体管Q1、Q4、Q5的基极;电阻R2的另一端连接控制信号端口Ia、晶体管Q2、Q3、Q6的基极;端口Oa与晶体管Q3的集电极、晶体管Q5的发射极、端口A连接;端口Ob与晶体管Q4的集电极、晶体管Q6的发射极、端口B连接;晶体管Q3、Q4的发射极分别与晶体管Q1、Q2的发射极相连,晶体管Q5、Q6的集电极接地。
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