[实用新型]一种碳纳米管-电极结构及基于该结构的温度传感器芯片无效
| 申请号： | 200920288330.X | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN201653962U | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 董再励;于海波;王越超;田孝军;曲艳丽;李文荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号： | G01N27/18 | 分类号： | G01N27/18 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 电极 结构 基于 温度传感器 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳纳米管-电极结构，其特征在于：包括基底、碳纳米管、电极，所述电极成对设置在基底上，所述碳纳米管与所述的一对电极间电连接。
2.一种基于如权利要求1所述的碳纳米管-电极结构的温度传感器芯片，其特征在于：包括碳纳米管-电极结构构成的传感器芯片、划片标记、对准标记、压焊点、识别标记；所述压焊点与所述碳纳米管-电极结构的电极电连接。
3.按照权利要求2所述的温度传感器芯片，其特征在于：所述的每个碳纳米管-电极结构具有3对指状电极对。
4.按照权利要求2所述的温度传感器芯片，其特征在于：所述碳纳米管-电极结构的每对电极之间的间距为1微米，指状电极的宽度为10微米。
5.按照权利要求2所述的温度传感器芯片，其特征在于：所述传感器芯片为在2mm×2mm的区域内集成的8个碳纳米管-电极结构。
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