[实用新型]保护控制电路

权利要求书

1.用于连接第一主半导体(105)的保护控制电路(110)，所述第一主半导体具有第一主集电极端子(106)、第一主栅极端子(107)和第一主发射极端子(108)，所述保护控制电路具有第一静态保护电路(120)，所述第一静态保护电路(120)具有第一辅助半导体(121)，该辅助半导体具有第一辅助集电极端子(122)、第一辅助栅极端子(123)和第一辅助发射极端子(124)，所述第一辅助集电极端子(122)可以与第一主集电极端子(106)相连。

2.根据权利要求1所述的保护控制电路，其中所述辅助半导体(121)是IGBT。

3.根据权利要求1所述的保护控制电路，其中所述第一静态保护电路(120)具有布置在从第一辅助发射极端子(124)指向第一辅助集电极端子(122)的导通方向之中的第一二极管(126)。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护控制电路，其中所述第一静态保护电路(120)具有布置在第一辅助栅极端子(123)和第一辅助发射极端子(124)之间的第一辅助电阻(125)。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的保护控制电路，其中所述保护控制电路(110)具有与第一静态保护电路(120)相连的动态保护电路(150)，所述动态保护电路(150)具有第一电容(151)。

6.根据权利要求5所述的保护控制电路，其中将一电阻(155)与第一电容(151)并联。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的保护控制电路，其中所述保护控制电路(110)具有多个相互串联的静态保护电路(120，130，140)。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的保护控制电路，其中所述保护控制电路(110)具有栅极保护开关电路(160)。

9.根据权利要求8所述的保护控制电路，其中所述栅极保护开关电路(160)可以布置在第一主栅极端子(107)和第一主发射极端子(108)之间。

10.根据权利要求8所述的保护控制电路，其中所述栅极保护开关电路(160)与动态保护电路(150)相连。

11.根据权利要求8所述的保护控制电路，其中所述栅极保护开关电路(160) 具有MOSFET(161)。

12.根据权利要求8所述的保护控制电路，其中所述栅极保护开关电路(160)具有由二极管和电阻(162，163，164，166，167，168)构成的网络。

13.根据权利要求8所述的保护控制电路，其中所述栅极保护开关电路(160)具有阻断电路(166)。

14.具有第一主半导体(105)的电路(100)，所述第一主半导体具有第一主集电极端子(106)、第一主栅极端子(107)和第一主发射极端子(108)，其中权利要求1～13中任一项所述的第一保护控制电路(110)布置在第一主集电极端子(106)和第一主发射极端子(108)之间。

15.根据权利要求14所述的电路(100)，其中所述电路(100)具有第二主半导体(205)，所述第二主半导体具有第二主集电极端子(206)、第二主栅极端子(207)和第二主发射极端子(208)，其中在第二主集电极端子(206)和第二主发射极端子(208)之间布置有第二保护控制电路(210)，且第一主发射极端子(108)与第二主集电极端子(206)相连。