[实用新型]一种提高3D离子阱检测效率的装置无效
申请号: | 200920295568.5 | 申请日: | 2009-12-29 |
公开(公告)号: | CN201655741U | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 李晓旭;吴文明;郑毅;刘立鹏 | 申请(专利权)人: | 聚光科技(杭州)股份有限公司 |
主分类号: | H01J49/42 | 分类号: | H01J49/42;G01N27/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310052 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 离子 检测 效率 装置 | ||
1.一种提高3D离子阱检测效率的装置,其特征在于:所述装置包括:
设置在3D离子阱的第一侧,用于检测3D离子阱从该侧出射的离子的第一检测器;
设置在3D离子阱第二侧的电子透镜,便于电子穿过并进入所述3D离子阱;
设置在所述电子透镜侧部的第二检测器,用于检测从3D离子阱第二侧出射并经电子透镜偏转后的离子。
2.根据权利要求1所述的提高3D离子阱检测效率的装置,其特征在于:所述电子透镜包括相对设置的第一电极和第二电极,第二电极上设有与所述第二检测器配合的孔。
3.根据权利要求2所述的提高3D离子阱检测效率的装置,其特征在于:所述第一电极上设有孔,还设有与该孔配合的打拿极。
4.根据权利要求2或3所述的提高3D离子阱检测效率的装置,其特征在于:所述孔上设有网状电极。
5.根据权利要求2或3所述的提高3D离子阱检测效率的装置,其特征在于:所述第一电极和第二电极是半管状。
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