[实用新型]晶圆切割结构有效
申请号: | 200920300094.9 | 申请日: | 2009-01-07 |
公开(公告)号: | CN201361949Y | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 璩泽明;马嵩荃 | 申请(专利权)人: | 茂邦电子有限公司 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 何 为 |
地址: | 中国台湾桃园县芦*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 结构 | ||
1.一种晶圆切割结构,其包括一裁切机构及晶圆,该裁切机构至少包含有一切割刀;该晶圆的一面与该裁切机构对应,其特征在于:所述裁切机构还包含有一可于晶圆上成型出一凹槽并以切割刀由凹槽处对晶圆作切割的镭射刀。
2.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述切割刀为锯齿刀。
3.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述切割刀为钻石刀。
4.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述晶圆为多层磊晶的晶圆。
5.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述晶圆为CMOS组件。
6.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述晶圆为BJT组件。
7.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述晶圆为MOS组件。
8.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述晶圆为内存组件。
9.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述凹槽呈V型。
10.如权利要求1所述的晶圆切割结构,其特征在于:所述凹槽的深度为晶圆整体厚度的5%~20%。
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