[实用新型]一种避免侧向剪切力的电子元件塑封体结构

说明书

技术领域

实用新型涉及一种电子元件，尤其是涉及对一种避免侧向剪切力的电子元件塑封体结构等结构的改良。

背景技术

电子元器件的塑封体通常都是由上下两部分组成，通行的设计是塑封体上下部在长度和宽度方向上尺寸相同。中国专利公开了一种带有霍尔元件的磁场传感器(授权公告号：CN100388523C)，其霍尔元件具有沿着一条直线排列的两个内部触点和两个外部触点，其中两个内部触点具有相同的宽度，两个外部触点具有相同的宽度，触点排列在一个具有第一种导电类型的阱的表面上，阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片中，而且两个外部触点通过电阻相连接，电阻由具有第一种导电类型的阱构成，电阻在霍尔元件的阱中形成，并具有在对着阱的相邻边缘的一侧设置在霍尔元件的两个外部触点之一的旁边的触点；或者电阻在霍尔元件的阱中形成，并具有分别在对着阱的相邻边缘的一侧位于霍尔元件的两个外部触点之一的旁边的两个触点，电阻的这两个触点通过一个导线通路相连接。但这种传感器中采用的霍尔元件塑封体结构如图1所示，塑封体上下部在长度和宽度方向上尺寸相同，但由于塑封模具的上下模腔总是存在一些错位，使得塑封体上下部在长度和宽度方向上发生错位，塑封体上部会伸出塑封体下部，如图2，当塑封体受到长度或宽度方向上的压力时，压力会转变为作用在塑封体上下部的侧向剪切力，塑封体会因为受侧向剪切力而产生微小裂纹或崩裂，造成元器件可靠性下降。

实用新型内容

本实用新型需要解决的技术问题是提供一种避免侧向剪切力的电子元件塑封体结构，其主要是解决现有技术所存在的塑封体上下部在长度和宽度方向上尺寸相同，但由于塑封模具的上下模腔总是存在一些错位，使得塑封体上下部在长度和宽度方向上发生错位，塑封体上部会伸出塑封体下部，当塑封体受到长度或宽度方向上的压力时，压力会转变为作用在塑封体上下部的侧向剪切力，塑封体会因为受侧向剪切力而产生微小裂纹或崩裂，造成元器件可靠性下降等的技术问题。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

本实用新型的一种避免侧向剪切力的电子元件塑封体结构，包括连接在一起的塑封体上部与塑封体下部，其特征在于所述的塑封体上部与塑封体下部的内部封装有芯片，芯片连接有管脚，管脚3的端部伸出塑封体外部，塑封体下部的长度d₁为1.3～4.0mm，塑封体下部的长度d₁比塑封体上部的长度d₂长0.03～0.08mm。由于塑封体下部的长度比塑封体上部的长度要长，因此即使塑封体上下部在长度和宽度方向上发生错位，塑封体上部也不会伸出或超出塑封体下部。当塑封体受到长度或宽度方向上的压力时，压力全部施加在塑封体下部，即塑封体下部受到挤压，塑封体上部不会受力。避免了塑封体上部伸出塑封体下部，在塑封体受到长度或宽度方向上的压力时，压力转变为作用在塑封体上下部的侧向剪切力，其中塑封体耐受压力的能力比耐受侧向剪切力的能力大2～3倍，从而避免塑封体因受侧向剪切力而产生微小裂纹或崩裂，造成元器件可靠性下降。

作为优选，所述的塑封体下部的宽度d₃为1.0～2.0mm，塑封体下部的宽度d₃比塑封体上部的宽度d₄宽0.03～0.08mm。

因此，本实用新型具有使电子元件避免塑封体受到侧向剪切力作用，提高结构强度，提高电子元件的可靠性，结构简单、合理等特点。

附图说明

附图1是现有电子元件的塑封体结构示意图；

附图2是现有电子元件的发生错位的示意图；

附图3是本实用新型的一种结构示意图；

附图4是图3的俯视结构示意图；

附图5是图3的右视结构示意图；

附图6是本实用新型的受力结构示意图。

图中零部件、部位及编号：塑封体上部1、塑封体下部2、管脚3。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。

实施例：本例的一种避免侧向剪切力的电子元件塑封体结构，如图3、图4、图5，有连接在一起的塑封体上部1与塑封体下部2，塑封体上部1与塑封体下部2的内部封装有芯片，芯片连接有多根伸出塑封体外的管脚3。塑封体下部2的长度d₁为2.90mm，塑封体下部2的长度d₁比塑封体上部1的长度d₂长0.04mm，塑封体下部2的宽度d₃为1.5mm，塑封体下部2的宽度d₃比塑封体上部1的宽度d₄宽0.04mm。

如图6，当塑封体受到长度或宽度方向上的压力时，压力全部施加在塑封体下部，即塑封体下部受到挤压，塑封体上部不受力，避免了塑封体上部伸出塑封体下部。