[实用新型]一种用于交流变换直流的可控硅限压变换装置

权利要求书

1.一种用于交流变换直流的可控硅限压变换装置，其特征是:该装置由一个场效益管Q,二极管D,电阻R,稳压管W和可控硅T构成,它们构成的电路连接关系为：可控硅T阳极接输入交流的其中一极或脉动直流和电阻R的一端和场效应管Q漏极,可控硅T门极接二极管D阴极,可控硅T阴极接输出直流,场效应管Q源极接二极管D阳极,场效应管Q栅极接稳压管W阴极和电阻R另一端,稳压管W阳极接参考地；

这里的可控硅T可以是单向的,也可以是双向的,如果是双向可控硅,第2主端对应单向可控硅阳极,第1主端对应单向可控硅阴极；

场效应管Q也可以用三极管或者IGBT替代,在这种情况下,栅极对应基极,漏极对应集电极,源极对应发射极；

把上述电路中可控硅阴极阳极对调,所有二极管和稳压管阴极阳极对调,场效应管N沟道和P沟道互换,三极管NPN型和PNP型互换,则构成本变换装置输出电压反向版。

2.一种整流装置，其特征是：具有权利要求1所述的可控硅限压变换装置、整流二极管Z和输出滤波电容器C,组合成桥式半控整流电路,依据输入交流是三相还是单相，该桥式半控整流电路中1个整流二极管Z与1个与其连接的可控硅限压变换装置构成的整流通道单元分别为3个和2个,整流通道单元后接共有输出滤波电容器C；

其中1个整流通道单元的连接关系为：可控硅T阳极接交流输入的其中一极和整流二极管Z的阴极和电阻R的一端和场效应管Q漏极,可控硅T门极接二极管D阴极,可控硅T阴极接输出滤波电容器C正极,场效应管Q源极接二极管D阳极,场效应管Q栅极接稳压管W阴极和电阻R另一端,输出滤波电容器C负极和稳压管W阳极和整流管Z阳极接参考地；

如果输出接蓄电池，输出滤波电容器C可以用也可以不用；

    把上述电路中可控硅阴极阳极对调,所有二极管和稳压管阴极阳极对调,场效应管N沟道

和P沟道互换,三极管NPN型和PNP型互换,电容器正极负极对调,则构成本整流装置输出电压反向版。

3. 一种二极管桥式整流串联可控硅限压变换装置，其特征是：具有权利要求1所述的可控硅限压变换装置以及由整流二极管Z构成的整流桥，该整流桥直流输出串接权利要求1所述的可控硅限压变换装置，其变换输出接输出滤波电容器C,依据输入交流是三相还是单相,对应整流二极管Z构成的整流桥分别为三相或两相；

各交流输入一端分别接整流桥交流输入各一端，可控硅T阳极接整流桥整流正输出端和电阻R的一端和场效应管Q漏极，可控硅T门极接二极管D阴极,可控硅T阴极接输出滤波电容器C正极，场效应管Q源极接二极管D阳极,场效应管Q栅极接稳压管W阴极和电阻R另一端，电容器C负极和稳压管W阳极和整流桥整流负输出端接参考地；

如果输出接蓄电池，输出滤波电容器C可以用也可以不用；

把上述电路中可控硅阴极阳极对调，所有二极管和稳压管阴极阳极对调，场效应管N沟道和P沟道互换，三极管NPN型和PNP型互换，电容器正极负极对调，则构成本整流装置输出电压反向版。

4.根据权利要求1所述的可控硅限压变换装置，其特征是：可控硅T阳极接输入交流的其中一极或脉动直流和电阻R的一端不是直接连场效应管Q漏极，而是通过一个电阻R1。

5.根据权利要求1所述的可控硅限压变换装置，其特征是：可控硅T门极和可控硅T阴极之间，增加连接一个电阻R2。

6.根据权利要求1所述的可控硅限压变换装置，其特征是：场效应管Q栅极和场效应管Q源极之间，增加连接一个稳压管W1,稳压管W1阴极接场效应管Q栅极，稳压管W1阳极接场效应管Q源极。