[实用新型]带自支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列有效
| 申请号： | 200920311648.5 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN201514283U | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 焦斌斌;陈大鹏;欧毅;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01J5/02 | 分类号： | G01J5/02;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑 框架 镂空 结构 调制 成像 平面 阵列 | ||
1.一种光调制热成像焦平面阵列，其特征在于包括阵列框架和微悬臂梁单元；
所述阵列框架由外框和内框构成，该内框为网格状，设置在所述的外框内，形成多个镂空单元；
每个镂空单元内设置一个微悬臂梁单元，该微悬臂梁单元与构成镂空结构的内框或外框相连接，所有的微悬臂梁单元与内框采用相同的材料且一体成型。
2.根据权利要求1所述的光调制热成像平面阵列，其特征在于所述的微悬臂梁单元包括至少一组热变形结构和一组红外吸收结构，所述热变形结构包括至少一根隔离梁和至少一根形变梁，所述形变梁连接红外吸收结构和隔离梁，所述隔离梁与所述的阵列框架连接。
3.根据权利要求2所述的光调制热成像焦平面阵列，其特征在于：所述的阵列外框为单晶硅材料，其晶向为<100>、<110>、<111>。
4.根据权利要求1所述的光调制热成像焦平面阵列，其特征在于：所述的微悬臂梁单元的材料与内框的材料相同都为氧化硅或氮化硅或碳化硅。
5.根据权利要求2所述的光调制热成像焦平面阵列，其特征在于：所述的形变梁上附着有0.1-1微米的金属薄膜。
6.根据权利要求2所述的光调制热成像焦平面阵列，其特征在于：所述的红外吸收结构上附着有0.1-1微米的金属薄膜。
7.根据权利要求5或6所述的光调制热成像焦平面阵列，其特征在于：所述的金属薄膜的材料为铝、金、铬、钛、锡或铅。
8.根据权利要求1所述的光调制热成像焦平面阵列，其特征在于：所有所述的内框的梁宽度相等，所述的宽度在0.5微米到10微米之间；所有所述的内框的梁厚度相等，所述的厚度在0.5微米到100微米之间。
9.根据权利要求1所述的光调制热成像焦平面阵列，其特征在于：所述的镂空单元横截面的形状为正方形或者长方形，所有所述的镂空单元均相同。
10.根据权利要求1所述的光调制热成像焦平面阵列，其特征在于：所有所述的微悬臂梁单元排列方向一致。
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