[实用新型]低温无损伤深斜硅刻蚀系统

权利要求书

1.一种低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述系统包括：

容纳刻蚀材料的供料装置；

连接到所述供料装置的刻蚀腔；所述刻蚀腔包括：腔体；喷嘴，所述喷嘴固定于所述腔体内的一侧；支承待刻蚀硅片的支架，所述支架以角度可调整的方式固定于所述腔体内，并且位于所述喷嘴相对的另一侧；掩蔽板，所述掩蔽板位于所述喷嘴与所述支架之间，固定于所述腔体内壁，在所述掩蔽板上与所述喷嘴对应的位置形成有供刻蚀材料穿过的孔或缝。

2.根据权利要求1所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述待刻蚀硅片的表面与所述掩蔽板相对，并且涂覆有光刻胶。

3.根据权利要求2所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述支架包括支撑架和托盘，所述支撑架固定于腔体内壁，所述托盘以角度可调整的方式连接所述支撑架，并且旋转形成为与入射方向成0-90°中的一个角度。

4.根据权利要求3所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述刻蚀腔连接有压力检测装置和温度控制装置，所述压力检测装置和温度控制装置连通所述腔体内部。

5.根据权利要求4所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述刻蚀腔连接有排气泵和尾气处理装置，所述尾气处理装置通过所述排气泵连通所述腔体内部。

6.根据权利要求5所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述刻蚀腔连接有抽真空泵，所述抽真空泵与所述腔体内部连通。

7.

根据权利要求6所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述供料装置和所述刻蚀腔之间连接有净化装置和混合刻蚀材料的混合装置。

8.根据权利要求7所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述供料装置由容纳氩气的第一存储罐和容纳七氟化氯的第二存储罐组成，所述第一存储罐和所述第二存储罐分别连接至所述净化装置。

9.根据权利要求8所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述混合装置和所述刻蚀腔之间连接有减压阀。

10.根据权利要求8或9所述的低温无损伤深斜硅刻蚀系统，其特征在于，所述第一存储罐与所述净化装置之间通过第一质量流量控制器连接和/或所述第二存储罐与所述净化装置之间通过第二质量流量控制器连接。