[实用新型]高速无等离子体硅刻蚀系统

权利要求书

1.一种高速无等离子体硅刻蚀系统，其特征在于包括：

容纳刻蚀材料的供料装置；

与所述供料装置连接的刻蚀腔；所述刻蚀腔包括：腔体；角度可调整的喷嘴，所述喷嘴固定于所述腔体内的一侧；支承待刻蚀硅片的支架，所述支架固定于所述腔体内，并且位于所述喷嘴相对的另一侧；掩蔽板，所述掩蔽板位于所述喷嘴与所述支架之间，固定于所述腔体内壁，在所述掩蔽板上与所述喷嘴对应的位置形成有供刻蚀材料穿过的孔或缝。

2.根据权利要求1所述的高速无等离子体硅刻蚀系统，其特征在于，所述待刻蚀硅片的表面与所述掩蔽板相对，并且涂覆有光刻胶。

3.根据权利要求2所述的高速无等离子体硅刻蚀系统，其特征在于，所述刻蚀腔连接有压力检测装置和温度控制装置，所述压力检测装置和温度控制装置分别连通所述腔体内部。

4.根据权利要求3所述的高速无等离子体硅刻蚀系统，其特征在于，所述刻蚀腔连接有后级泵和尾气处理装置，所述尾气处理装置通过所述后级泵连通所述腔体内部。

5.根据权利要求4所述的高速无等离子体硅刻蚀系统，其特征在于，所述刻蚀腔连接有抽真空泵，所述抽真空泵与所述腔体内部连通。

6.根据权利要求5所述的高速无等离子体硅刻蚀系统，其特征在于，所述供料装置和所述刻蚀腔之间还连接有净化装置和混合刻蚀材料的混合装置。

7.根据权利要求6所述的高速无等离子体硅刻蚀系统，其特征在于，所述供料装置由两个分别容纳二氧化碳和五氟化氯的存储罐组成，两个所述存储罐分别连接至所述净化装置。

8.根据权利要求6或7所述的高速无等离子体硅刻蚀系统，其特征在于，所述系统还包括位于所述混合装置和所述刻蚀腔之间的减压阀。