[实用新型]中央处理器放电电路无效

专利信息
申请号: 200920317621.7 申请日: 2009-12-16
公开(公告)号: CN201607683U 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 胡可友 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 中央处理器 放电 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种放电电路,特别是关于一种具有放电保护功能的中央处理器放电电路。

背景技术

中央处理器(central processing unit)是计算机系统的核心,是计算机重要的部件,因此中央处理器的正常工作对于确保电脑正常运行起着至关重要的作用。传统的中央处理器通常具有一放电电路,当电脑关机时中央处理器可通过放电电路缓慢放电,从而避免电脑不工作时其电路元件带电。传统的放电电路通常经由一晶体管接地放电,然而中央处理器上的电压通常较高,容易在放电过程中击穿晶体管。

实用新型内容

鉴于以上内容,有必要提供一种具有放电保护功能的中央处理器放电电路,在中央处理器放电过程中保护放电电路。

一种中央处理器放电电路,用以在电脑关机时为中央处理器放电,所述中央处理器放电电路包括一输入输出控制器及一放电电路,所述中央处理器放电电路还包括一电性连接所述放电电路和中央处理器的放电保护电路,所述放电电路接收来自输入输出控制器的控制信号,并根据接收到的控制信号接地,所述中央处理器通过所述放电保护电路和放电电路对地放电。

优选地,所述放电电路包括一第一电阻及一第一晶体管,所述第一电阻一端与输入输出控制器电性相连,所述第一电阻一端还电性连接第一晶体管的栅极,所述第一电阻另一端与一备用电压转换电路电性相连,所述第一晶体管的漏极经由所述放电保护电路与中央处理器电性相连,所述第一晶体管的源极接地。

优选地,所述第一晶体管为NPN型场效应晶体管。

优选地,所述放电保护电路包括一第二电阻及一第三电阻,所述第二电阻一端与第一晶体管的漏极电性相连,所述第二电阻另一端与中央处理器电性相连,所述第二电阻另一端还电性连接第三电阻一端,所述第三电阻另一端接地。

优选地,当所述第一晶体管的栅极接收到来自输入输出控制器的高电位的控制信号时,所述通过所述第一晶体管和放电保护电路对地放电。

优选地,所述备用电压转换电路包括一第二晶体管及一三极管,所述第二晶体管的栅极分别经由一第四电阻及一第一二极管电性连接所述第一电阻另一端,所述第二晶体管的栅极还经由一电容与一输入电压电性相连,所述第二晶体管的源极与三极管的基极电性相连,所述第二晶体管的源极还经由一第五电阻电性连接所述三极管的发射极,所述三极管的发射极与第一电阻另一端电性相连,所述三极管的集电极接地,所述所述第二晶体管的漏极顺次经由一第六电阻、一第二二极管及一第三二极管电性连接一通用串行总线端口。

优选地,所述备用电压转换电路通过第一电阻和第一晶体管对地放电。

优选地,所述第二晶体管为PNP型场效应晶体管,所述三极管为PNP型三极管。

相较于现有技术,本实用新型中央处理器放电电路通过放电电路接收来自输入输出控制器的控制信号,所述放电电路根据接收到的控制信号接地,所述中央处理器通过所述放电保护电路和放电电路对地放电,有效保护了放电电路的第一晶体管。

附图说明

图1是本实用新型中央处理器放电电路较佳实施方式的框图。

图2是本实用新型中央处理器放电电路较佳实施方式的电路图。

图3是图1中备用电压转换电路的电路图。

主要元件符号说明

具体实施方式

请参阅图1,本实用新型中央处理器放电电路包括一输入输出控制器10、一放电电路20、一放电保护电路30、一备用电压转换电路40及一中央处理器50。所述输入输出控制器10用以输出一箝位控制信号,所述放电电路20接收该箝位控制信号,并根据接收到的箝位控制信号而接地。所述中央处理器50通过所述放电保护电路30和放电电路20对地放电。

请参阅图2,所述放电电路20包括一第一电阻R1及一第一晶体管Q1。所述第一电阻R1一端与输入输出控制器10电性相连,所述第一电阻R1一端还电性连接第一晶体管Q1的栅极。所述第一电阻R1另一端与备用电压转换电路40电性相连。所述第一晶体管Q1的漏极经由所述放电保护电路30与中央处理器50电性相连,所述第一晶体管Q1的源极接地。所述放电保护电路30包括一第二电阻R2及一第三电阻R3。所述第二电阻R2一端与第一晶体管Q1的漏极电性相连。所述第二电阻R2另一端与中央处理器50电性相连,所述第二电阻R2另一端还电性连接第三电阻R3一端。所述第三电阻R3另一端接地。其中,所述第一晶体管Q1为NPN型场效应晶体管,第一电阻R1和第二电阻R2的阻值均为1000欧姆,第一电阻R1和第二电阻R2的额定功率均为0.25W,中央处理器50的工作电压为12V。

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