[实用新型]水平单晶生长用长方形舟

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种水平单晶生长用长方形舟，属于生长单晶用设备领域。

背景技术

生长单晶的水平布里奇曼法，简称HB法；应用相当广泛。在化合物半导体单晶的生长方面，尤其如此。HB法是将生长单晶的原料放在一种器皿中，器皿放入圆管中，抽真空后封闭管口；用定向凝固法或定向区熔法生长单晶。这种器皿一般称之为“舟”，而外管称之为生长管。

目前，从用途上分，舟用于合成多晶的，称之为：合成舟；而用于生长单晶的，称之为：拉晶舟。单晶生长用舟构成如下：最前端的叫籽晶腔，在主体和籽晶腔之间的部分叫放肩部，作用是平滑联接籽晶腔和舟的主体。中间是单晶生长舟的主体部分。最后是舟尾。

HB法用的舟从出现的那天起，主体截面就采用半圆形。到目前为止，包括世界上用HB法生长单晶的著名厂商，除了我们也都采用主体截面为半圆形的舟。

籽晶腔则有方形、矩形、半圆形等多种。

半圆形舟应用了几十年，其最大特点是加工容易。圆形管一破两半，再加上舟头和舟尾即可。

水平单晶主要用途是制作分离器件-LED(发光二极管)。晶片在外延后需要进行划片。切成很小的小方片。半圆舟和异性舟在单晶生长成功后，切片后都要进行割圆，将切割得单晶D型片割成圆片，圆片外延后进行画片，圆片外5mm内基本不能用，顺划片方向也要损失。而单晶方形片则可省掉割圆工序，在器件划片时减少损失。

发明内容

本实用新型针对半圆舟和异形舟的缺点，提供了一种水平单晶生长用长方形舟，采用以下技术方案：所述长方形舟包括有舟中间的主体，两边分为舟头、舟尾，其中，舟的主体部分的横截面为矩形，代替了以往的半圆形和异形。

所述舟的主体部分的内高为30^+0.5mm，水平宽度为53^+0.5mm，壁厚为3.5^+0.5mm。

本实用新型的有益效果为：采用本实用新型所述的长方形舟生长出的水平单晶为方形片，可以省掉由原半圆舟和异形舟生长出的单晶片必须的割圆工序，在器件划片时有效的减少了损失。

附图说明

图1为本实用新型的剖面示意图；

图2为本实用新型的俯视图；

图3为A-A面(舟主体部分)的截面图。

图中标号：

1-主体部分；2-舟头；3-舟尾；4-籽晶腔；5-支撑板；6-放肩部。

具体实施方式

本实用新型提供了一种水平单晶生长用长方形舟，下面通过附图说明和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。

图1为本实用新型的剖面示意图；图2为本实用新型的俯视图。所述长方形舟包括有舟中间的主体部分1，两边分为舟头2、舟尾3，其中，舟的主体部分1的横截面为矩形。舟头3处设置籽晶腔4，籽晶腔4下部设置支撑板5，支撑板5的下部与舟主体部分1的外底相平。

籽晶腔4水平长3^5±2mm，宽度为18^+0.1mm，高度为9^+0.2mm，为长方体籽晶腔，支撑板5的厚度为3⁺¹mm；籽晶腔4与主体部分1底部连接的斜面部分为放肩部6，放肩部6水平长50⁺²mm，与籽晶腔4和舟主体部分1圆滑联接；舟尾3水平长度为40^±2mm。

图3为A-A面(舟主体部分)的截面图。主体部分1内高30^+0.5mm，水平宽度53^+0.5mm，壁厚3.5^+0.5mm。舟的总长度范围为300～1500mm。

本实用新型所述的水平单晶生长用长方形舟主要用石英制作，也可用其他材料制作。本实用新型覆盖的主要是生长单晶用舟。