[实用新型]一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统

权利要求书

1.一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，该系统包括：

氟化氢源，用于提供氟化氢气体，去除硅片表面的自然氧化层；

液态二氧化碳源，用于提供二氧化碳气体，清洗硅片表面的颗粒以及有机物薄膜；

第一流量控制阀(1)，安装于氟化氢源与高压泵(4)之间的管道上，用于控制氟化氢气体的流量；

第二流量控制阀(2)，安装于液态二氧化碳源与高压泵(4)之间的管道上，用于控制二氧化碳气体的流量；

加热器(3)，安装于高压泵(4)与高压密闭腔室(5)之间的气体输入管道上，用于加热二氧化碳使其达到临界温度；

高压泵(4)，安装于加热器(3)与第一流量控制阀(1)或第二流量控制阀(2)之间的气体输入管道上，用于控制进入高压密闭腔室(5)中氟化氢和二氧化碳的气体压力；

高压密闭腔室(5)，内部安装有可旋转支架(7)，该可旋转支架(7)上固定有待清洗硅片(6)；

针型阀(8)，安装于高压密闭腔室(5)的气体输出管道上，用于控制气体的流通；

溢出腔(9)，安装于高压密闭腔室(5)气体输出管道的针型阀(8)之后，用于缓冲从高压密闭腔室(5)中出来的气体；

碱性溶液(10)，安装于高压密闭腔室(5)气体输出管道的溢出腔(9)之后，用于去除尾气中的HF和反应产物；

过滤纯化装置(11)，安装于高压密闭腔室(5)气体输出管道的碱性溶液(10)之后，用于干燥和纯化尾气中的二氧化碳；以及

冷凝系统(12)，安装于过滤纯化装置(11)与液态二氧化碳源之间，用于使干燥和纯化后二氧化碳变为液态。

2.根据权利要求1所述的超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，所述高压密闭腔室还包括有用于显示高压密闭腔室中压力的压力显示计。

3.根据权利要求2所述的超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，所述高压密闭腔室还包括有用于对硅片多角度吹洗的可动喷嘴，其气体喷射方向与硅片旋转方向相反。

4.根据权利要求1所述的超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，所述高压密闭腔室还包括有用于对硅片多角度吹洗的可动喷嘴，其气体喷射方向与硅片旋转方向相反。

5.根据权利要求1所述的超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，所述高压密闭腔室还包括有用于实时测量显示高压密闭腔室中温度的温度传感器。

6.根据权利要求2所述的超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，所述高压密闭腔室还包括有用于实时测量显示高压密闭腔室中温度的温度传感器。

7.根据权利要求3所述的超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，所述高压密闭腔室还包括有用于实时测量显示高压密闭腔室中温度的温度传感器。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，所述高压密闭腔室还包括有用于实时测量显示腔室中压力的压力传感器。

9.根据权利要求1所述的超临界二氧化碳吹洗硅片系统，其特征在于，所述高压密闭腔室采用316的不锈钢制作。