[实用新型]一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈

权利要求书

1.一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述线圈为平板单匝结构，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，在所述线圈骨架的上表面设有三级台阶，从第一级台阶至第三级台阶的所在圆的直径逐级减小，第三级台阶的底部一端和所述线圈骨架内圆上边沿连接成的斜面与水平面呈第一倾斜角度，所述线圈骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度。

2.如权利要求1所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述线圈还包括电极上法兰和电极下法兰，所述电极上法兰和电极下法兰上有电极连接孔和冷却水管孔，所述线圈冷却水管穿过所述冷却水管孔并分别与所述电极上法和电极下法兰相焊接，循环冷却水由所述线圈冷却水管进出线圈骨架，在所述线圈骨架上靠近电极上法兰和电极下法兰的一侧开设有一个切口。

3.如权利要求1所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述线圈骨架内圆为正圆心结构，内圆的直径为27mm，厚度为1.5mm。

4.如权利要求3所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，在所述线圈内圆处有四个对称的切缝，切缝宽度为3mm，切缝长度为7～8mm，其中一条切缝与线圈电极切口重合。

5.如权利要求4所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述线圈电极切口为一个切面互相平行的垂直切口，切口的宽度为2mm。

6.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述第一级台阶所在圆的直径为55～56mm，第二级台阶所在圆的直径为50～51mm，第三级台阶所在圆的直径为45～46mm，所述第一级台阶、第二级台阶和第三级台阶的高度均为0.9mm。

7.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述第一倾斜角度为7～8度。

8.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述第二倾斜角度为7～9度。

9.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述单匝结构的外圆直径为73～75mm，厚度为7～10mm。

10.如权利要求1至5任一项所述的用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述线圈骨架和线圈冷却水管均采用紫铜材料制成。