[发明专利]氮化物基发光装置的主基板

权利要求书

1.一种制作用于氮化物基薄膜半导体装置的主基板的方法，此方法包括：

提供一个半导体层；

在半导体层上蚀刻一个孔图案；在半导体层上电镀金属以填满半导体层上形成的孔；将半导体层键合到一个氮化镓层，而氮化镓层是外延生长在蓝宝石基板上的外延层；和

去除蓝宝石基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中半导体层是硅，而金属是铜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在半导体层上被蚀刻的孔的深度大于5微米 。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在半导体层上电镀金属以填满半导体层上形成的孔的步骤产生过多金属在半导体层上，制作主基板的方法还包括使用机械平面化(mechanical planarization)去除过多金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在半导体层上电镀金属以填满半导体层上形成的孔的步骤产生过多金属在半导体层上，制作主基板的方法还包括使用化学抛光(chemical polishing)去除过多金属。

6.根据权利要求1所述的方法，其中被电镀的半导体层的热膨胀系数与氮化镓层的热膨胀系数相匹配。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在半导体层上形成多个切割线，其中设置这多个切割线，使得切割是穿过镀有金属的半导体层的半导体部分，并且其中此方法还包括沿着这多个切割线切割该半导体结构。

8.一种制作用于氮化物基薄膜半导体装置的主基板的方法，此方法包 括：

提供一个硅层；

在硅层一侧蚀刻一个盲孔图案；

将硅层键合到一个氮化镓层，而该氮化镓层是外延生长在蓝宝石基板上的外延层，其中具有孔图案的硅层这一侧被键合到氮化镓层；

薄化硅层以露出在硅层里的孔图案；

在硅层上电镀铜以填满硅层上形成的孔；和

去除蓝宝石基板。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在硅层上被蚀刻的孔的深度大于5微米 。

10.根据权利要求8所述的方法，其中在硅层上电镀铜以填满硅层上形成的孔的步骤产生过多铜在硅层上，制作该主基板的方法还包括使用机械平面化去除过多铜。

11.根据权利要求8所述的方法，其中在硅层上电镀铜以填满硅层上形成的孔的步骤产生过多铜在硅层上，制作该主基板的方法还包括使用化学抛光去除过多铜。

12.根据权利要求8所述的方法，其中在硅层上形成多个切割线，其中设置多个切割线，使得切割是穿过镀有铜的硅层的硅部分，其中此方法还包括沿着多个切割线切割该半导体结构。

13.一种具有一个主基板的氮化物基半导体结构，此氮化物基半导体结构包括：

一个蓝宝石基板；

在该基板上形成的一个或多个半导体层，其中一个半导体层包括多个金属部分，其中硅层上有被图案化的多个孔在硅层上，并且多个金属部分包括被填在多个孔里的金属。 

14.根据权利要求13所述的氮化物基半导体结构，其中一个半导体层的热膨胀系数与氮化镓层的热膨胀系数相匹配。

15.根据权利要求13所述的氮化物基半导体结构，还包括在一个半导体层上形成的多个切割线，其中多个切割线被设置用于切割薄膜氮化物基半导体结构。

16.根据权利要求15所述的氮化物基半导体结构，其中多个孔被设置使得多个切割线包括半导体材料。

17.根据权利要求13所述的氮化物基半导体结构，其中一个半导体层是一个导热导体和一个导电导体。

18.根据权利要求13所述的氮化物基半导体结构，其中蓝宝石基板被去除。