[发明专利]发光元件和显示器件无效
申请号: | 200980000273.3 | 申请日: | 2009-02-24 |
公开(公告)号: | CN101682957A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 松末哲征;奥本健二 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H05B33/26 | 分类号: | H05B33/26;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田 欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 显示 器件 | ||
1.一种发光元件,是含有在基板的面内方向以夹着绝缘部的方式设置 的发光部和连接部的发光元件,其特征在于,
所述发光部具有:
底部电极、
设置在所述底部电极上的发光层、
设置在所述发光层上的第1电荷传输层、和
设置在所述第1电荷传输层上的第1上部电极,
所述连接部具有:
辅助电极、
设置在所述辅助电极上、并与所述发光部的第1电荷传输层电连接的 第2电荷传输层、和
设置在所述第2电荷传输层上的、并与所述发光部的所述第1上部电 极电连接的第2上部电极,
所述绝缘部使所述发光部的底部电极及所述发光层与所述连接部的所 述辅助电极电绝缘,
并且所述第1电荷传输层和第2电荷传输层的相同的HOMO(eV)和相 同的LUMO(eV)与第1上部电极和第2上部电极的相同的功函数Ip(eV)满 足下述式的关系:
|(|HOMO|-Ip)-(Ip-|LUMO|)|≤0.1eV。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述第1上部电极 和所述第2上部电极由连续的层构成。
3.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述第1电荷传输 层和所述第2电荷传输层由连续的层构成。
4.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述第1电荷传输 层及第2电荷传输层由能够传输空穴和电子两者的双极性材料形成。
5.根据权利要求4所述的发光元件,其特征在于,所述第1电荷传输 层及第2电荷传输层含有选自二唑衍生物、菲绕啉衍生物、咔唑衍生物、 有机金属配合物中的一种以上材料和选自碱金属或碱土金属中的一种以上 金属材料。
6.根据权利要求4所述的发光元件,其特征在于,所述第1上部电极 和第2上部电极是氧化铟锡,所述第1电荷传输层及第2电荷传输层含有 4,4’-二(N-咔唑基)联苯。
7.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述第1电荷传输 层及第2电荷传输层是电子传输层。
8.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述第1上部电极 和第2上部电极、与所述辅助电极由相同材料形成。
9.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,还具有用于从多个 发光部中选出一个发光部并使之发光的TFT。
10.一种显示器件,其特征在于,通过使权利要求1~9的任一项所述 的所述发光元件二维排列而构成。
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