[发明专利]包含镁掺杂半导体薄膜的光伏器件

权利要求书

1.一种光伏电池，所述光伏电池包括：

透明导电层；

与透明导电层直接物理接触的第一半导体层，其中，第一半导体层掺杂 有镁，第一半导体层包含CdS，第一半导体层的厚度为500埃-700埃；

与所述第一半导体层接触的第二半导体层，其中，第二半导体层掺杂有 V族元素和I族元素中的至少一种，第二半导体层包含CdTe。

2.如权利要求1所述的光伏电池，其中，所述第一半导体层掺杂有 1％-20％的镁。

3.如权利要求1所述的光伏电池，其中，所述透明导电层设置在基板上 方。

4.如权利要求1所述的光伏电池，其中，所述透明导电层设置在第一半 导体层的上方。

5.如权利要求1所述的光伏电池，其中，所述第二半导体层是氯化镉处 理的CdTe。

6.一种制造光伏电池的方法，所述方法包括以下步骤：

提供透明导电层；

沉积与透明导电层直接物理接触的第一半导体层的步骤，其中，第一半 导体层掺杂有镁，第一半导体层包含CdS，第一半导体层的厚度为500埃-700 埃；

沉积与所述第一半导体层接触的第二半导体层的步骤，其中，第二半导 体层掺杂有V族元素和I族元素中的至少一种，第二半导体层包含CdTe。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一半导体层掺杂有1％-20％ 的镁。

8.如权利要求6所述的方法，其中，所述透明导电层设置在基板上方。

9.如权利要求6所述的方法，其中，所述透明导电层设置在第一半导体 层上方。

10.如权利要求6所述的方法，其中，用氯化镉处理所述第二半导体层。

11.如权利要求10所述的方法，其中，在380℃-450℃用热来处理所述 第二半导体层。

12.一种产生电能的系统，所述系统包括：

透明导电层；

与透明导电层直接物理接触的第一半导体层，第一半导体层掺杂有镁， 第一半导体层包含CdS，第一半导体层的厚度为500埃-700埃；

与所述第一半导体层接触的第二半导体层，其中，第二半导体层掺杂有 V族元素和I族元素中的至少一种，第二半导体层包含CdTe；

第一电连接，连接到透明导电层；

第二电连接，连接到与第二半导体层相邻的背金属电极。

13.如权利要求12所述的系统，其中，所述第一半导体层掺杂有1％-20％ 的镁。

14.如权利要求12所述的系统，其中，所述透明导电层设置在基板上方。

15.如权利要求12所述的系统，其中，所述透明导电层设置在第一半导 体层上方。

16.如权利要求12所述的系统，其中，所述第二半导体层用氯化镉处理。