[发明专利]含锡酸镉的透明导电材料有效
| 申请号： | 200980100122.5 | 申请日： | 2009-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN101803033A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 戴尔·罗伯茨;约翰·格尔曼;基思·J·布罗斯;本雅明·布勒;布伊尔·帕斯马科夫 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;张军 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含锡酸镉 透明 导电 材料 | ||
1.一种光伏器件，所述光伏器件包括位于基底上的透明导电层和位于透 明导电层上的半导体层，所述透明导电层包括锡酸镉，其中镉的浓度按重量 计为67％至75％，镉和锡的重量比是2.03∶1到3.0∶1。
2.如权利要求1所述的光伏器件，其中，透明导电层具有大于0.9的品 质因数，所述品质因数是1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，平均吸 收率是针对350-850纳米的波长间隔求平均的吸收率。
3.如权利要求1中所述的光伏器件，其中，镉和锡的重量比是2.05∶1 到2.3∶1。
4.一种光伏电池的制造方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上设置第一半导体层，基底具有表面；
在基底的所述表面上设置透明导电层，其中，所述透明导电层包括锡酸 镉，镉的浓度按重量计为67％至75％，镉和锡的重量比是2.03∶1到3.0∶1。
5.如权利要求4所述的方法，其中，镉的浓度按重量计为67％至70％。
6.如权利要求4所述的方法，其中，透明导电层具有大于0.9的品质因 数，所述品质因数是1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，平均吸收率 是针对350-850纳米的波长间隔求平均的吸收率。
7.如权利要求4所述的方法，所述方法还包括在第一半导体层上设置第 二半导体层。
8.如权利要求4所述的方法，其中，镉和锡的重量比是2.05∶1到2.3∶1。
9.如权利要求4所述的方法，所述方法还包括通过溅射来设置所述透明 导电层。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述溅射包括从金属靶喷射材料。
11.如权利要求9所述的方法，其中，所述溅射包括从镉靶喷射材料。
12.如权利要求9所述的方法，其中，所述溅射包括从锡靶喷射材料。
13.如权利要求9所述的方法，其中，所述溅射包括从包含镉和锡的靶 喷射材料。
14.如权利要求13所述的方法，其中，靶包括管。
15.如权利要求13所述的方法，其中，靶包括板。
16.如权利要求4所述的方法，其中，在基底的所述表面上设置透明导 电层的步骤包括化学气相沉积。
17.如权利要求4所述的方法，其中，在基底的所述表面上设置透明导 电层的步骤包括旋涂。
18.如权利要求4所述的方法，其中，在基底的所述表面上设置透明导 电层的步骤包括喷涂。
19.如权利要求4所述的方法，其中，在基底的所述表面上设置透明导 电层的步骤包括浸涂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
