[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

模焊盘，由在表面形成第1焊锡接合层的金属构成；和

半导体元件，由以铋为主要成分的焊锡材料固定在所述模焊盘的所述第1焊锡接合层上，

所述第1焊锡接合层，由比所述焊锡材料更软的材料构成；

在所述第1焊锡接合层的一部分中，形成由所述焊锡材料被按压而成的凹陷部分，所述焊锡材料的一部分填充至所述凹陷部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第1焊锡接合层，由银或以银为主要成分的金属构成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述焊锡材料，含有铋、铜和锗。

4.根据权利要求1～3的其中一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述模焊盘，由铜或以铜为主要成分的金属构成。

5.根据权利要求1～4的其中一项所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第1焊锡接合层的所述凹陷部分，形成露出所述模焊盘的开口部，通过形成的孔，所述焊锡材料与所述模焊盘的表面连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

所述焊锡材料进入所述开口部的外周部分的所述模焊盘与所述第1焊锡接合层之间。

7.根据权利要求1～6的其中一项所述的半导体装置，其特征在于：

与所述半导体元件的所述焊锡材料相对的面上，形成第2焊锡接合层，所述第2焊锡接合层由银或以银为主要成分的金属构成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

在所述半导体元件与所述第2焊锡接合层之间，从所述半导体元件向所述第2焊锡接合层，依次形成粘接层、中间接合层和阻挡层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

所述粘接层由铬构成，所述中间接合层由镍和铬的合金构成，所述阻挡层由镍构成。

10.权利要求1～9的其中一项所述的半导体装置的制造方法，包括：

步骤a，在所述模焊盘的表面形成的所述第1焊锡接合层上，通过按压球形的所述焊锡材料，在所述第1焊锡接合层形成凹陷部分；

步骤b，在所述步骤a之后，将所述焊锡材料在所述第1焊锡接合层上按压展开；和

步骤c，在所述步骤b之后，在按压展开的所述焊锡材料上按压所述半导体元件。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

还进一步包括步骤d，在所述步骤a之前，将所述模焊盘加热。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述步骤a中，在所述第1焊锡接合层形成的凹陷部分，形成露出所述模焊盘的开口部，通过形成的开口部，所述焊锡材料与所述模焊盘的表面接触。