[发明专利]电子照相显影构件、其生产方法、电子照相处理盒和电子照相图像形成设备有效
申请号: | 200980100433.1 | 申请日: | 2009-01-29 |
公开(公告)号: | CN101802722A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 河村邦正;山本有洋;石田和稔;中村实 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/08 | 分类号: | G03G15/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 显影 构件 生产 方法 处理 图像 形成 设备 | ||
1.一种电子照相显影构件,其包括芯轴和设置于所述芯轴 外周面上的表面层,所述表面层包含聚氨酯树脂,其中;
所述表面层满足以下表达式(1)至(3),其中在距所述表面层 表面直至深度100nm、深度100nm至200nm和深度200nm至 300nm的各区域内的平均交联密度分别由C1、C2和C3表示,C1、 C2和C3的单位是mol/cm3:
(1)C3<C2<C1;
(2)C3×1.3≤C1≤C3×5.0;和
(3)2.0×10-4≤C3≤7.0×10-4。
2.根据权利要求1所述的电子照相显影构件,其中;
所述表面层满足以下表达式(4)和(5),其中,关于距所述表 面层表面直至深度100nm、深度100nm至200nm和深度200nm至 300nm的各区域,通过X射线光电子能谱法测量的氧原子(O)/碳 原子(C)的平均原子百分比分别由O1、O2和O3表示:
(4)O3×0.8≤O1≤O3×1.1;和
(5)0.27≤O1≤0.44。
3.根据权利要求2所述的电子照相显影构件,其中;
所述表面层进一步满足以下表达式(6)和(7):
(6)C3×1.5≤C1≤C3×3.0;和
(7)O1≤O2≤O3。
4.根据权利要求1所述的电子照相显影构件,其在所述芯 轴外周面上依次包括树脂层和所述表面层。
5.根据权利要求1所述的电子照相显影构件,其具有25.0° 以上至40.0°以下的MD-1硬度,MD-1硬度为以峰保持模式使用 橡胶微型硬度计MD-1 capa Type A并在控制温度为23℃和湿度 为50%RH的室内测量的硬度。
6.一种用于生产根据权利要求1所述的电子照相显影构件 的方法;
所述方法包括以下步骤:将所述表面层用原料液的涂膜的 固化膜在大气压下进行等离子体处理。
7.根据权利要求6所述的方法,其中
所述等离子体处理在氮气为95体积%以上的气氛中进行。
8.根据权利要求6所述的方法,其中
在所述等离子体处理中使用的等离子体通过供给高频电力 形成,所述高频电力已经通过脉冲宽度调制方法以50%以上至 80%以下的占空比脉冲调制。
9.一种电子照相处理盒,其至少包括用于在其上形成静电 潜像的感光构件和根据权利要求1所述的电子照相显影构件,并 将其构成为可拆卸地安装至电子照相图像形成设备的主体。
10.一种电子照相图像形成设备,其至少包括用于在其上 形成静电潜像的感光构件和根据权利要求1所述的电子照相显 影构件。
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