[发明专利]柔性半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种柔性半导体装置的制造方法，其是用于制造柔性半导体装置的方法，其特征在于，包括：

(i)在树脂薄膜的上面形成绝缘膜的工序、

(ii)在所述树脂薄膜的上面形成取出电极图形的工序、

(iii)按照与所述取出电极图形接触的方式在所述绝缘膜上形成半导体层的工序、和

(iv)按照覆盖所述半导体层及所述取出电极图形的方式在所述树脂薄膜的上面形成密封树脂层的工序；

利用印刷法，进行所述(i)～(iv)的至少一个形成工序。

2.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

利用印刷法，进行所述(i)～(iv)的所有形成工序。

3.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(iv)后，通过剥离所述树脂薄膜，使所述取出电极图形的下面从所述密封树脂层露出。

4.根据权利要求3所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

在制造多个柔性半导体装置时，将在某个柔性半导体装置的制造中所述已剥离的树脂薄膜再利用于其他柔性半导体装置的制造。

5.根据权利要求4所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

利用卷筒对卷筒方式，进行所述树脂薄膜的再利用。

6.根据权利要求3所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

在从所述密封树脂层露出的所述取出电极图形的下面，形成源电极及漏电极。

7.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述密封树脂层的上面形成栅电极。

8.根据权利要求7所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述栅电极的形成包括：

通过在所述密封树脂层的上面贴合金属箔的下面而在所述密封树脂层上设置所述金属箔的工序、和

通过蚀刻所述金属箔以由所述金属箔形成所述栅电极的工序。

9.根据权利要求8所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

作为与所述密封树脂层贴合的所述金属箔，使用下面的表面粗糙度即Ra为300nm以下的金属箔。

10.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

代替所述工序(ii)及所述工序(iii)，实施：

(ii)’在所述绝缘膜上形成半导体层的工序、和

(iii)’按照与所述半导体层接触的方式在所述树脂薄膜的上面形成取出电极图形的工序。

11.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述绝缘膜的下面形成栅电极。