[发明专利]太阳能电池组件的制造方法无效
申请号: | 200980100613.X | 申请日: | 2009-09-09 |
公开(公告)号: | CN101809761A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 柳浦聪生 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及具备逆电压矫正工序的太阳能电池组件的制造方法。
背景技术
一般,薄膜类的太阳能电池组件具备在透明基板上依次形成的透 明电极、半导体层以及金属电极。
例如,通过CVD法在透明电极上形成半导体层时,存在附着在透 明电极上的异物进入到半导体层中的情况。如果金属电极材料被填充 在由于从半导体层剥离这样的异物而形成的针孔中,则在透明电极与 金属电极之间发生短路。其结果是产生太阳能电池组件的输出降低的 问题。
因而,提出了通过施加与在半导体层中产生的光电动势反向的电 压(以下,称为逆电压。),使充填在针孔中的金属电极材料蒸发的方 法(例如,参照专利文献1)。一般,施加逆电压的工序称为逆电压矫 正工序。
专利文献1:昭60-46080号公报
发明内容
但是,在专利文献1中记载的方法中,难以去除透明电极与金属 电极之间的微观的短路。具体地讲,微观的短路由于半导体层的一部 分成为低电阻,或者伴随着微小异物的混入形成微小的针孔而发生。 在这种微观短路发生的位置即使施加了逆电压,由于金属电极材料未 被加热到蒸发那样的高温,因此不能去除微观的短路。
本发明是鉴于上述的状况而完成的,目的是提供能够抑制发生透 明电极与金属电极之间的微观短路的太阳能电池组件的制造方法。
本发明的特征涉及的太阳能电池组件的制造方法的宗旨是包括: 在透明基板的主面上依次形成透明电极层、半导体层和金属电极层的 工序;在金属电极层上形成树脂层的工序;通过在透明电极层与金属 电极层之间施加与在半导体层中产生的光电动势反向的电压,使得在 形成于树脂层中的针孔内露出金属电极层的一部分的工序;和通过以 树脂层为掩模对金属电极层的一部分进行蚀刻,去除金属电极层的一 部分的工序。
依据本发明的特征涉及的太阳能电池组件的制造方法,由于在透 明电极层与金属电极层之间发生的短路是微观的,因此即使在不能蒸 发金属电极层的情况下,通过蒸发去除树脂层的一部分,在树脂层中 形成针孔。从而,能够使金属电极层中发生微观短路的部分露出于针 孔内。通过用蚀刻去除露出的金属电极层,即金属电极层中发生微观 短路的部分,能够抑制透明电极与金属电极之间的微观短路的发生。
本发明的特征涉及的太阳能电池组件的制造方法的宗旨是包括: 在透明基板的主面上依次形成透明电极层、半导体层和金属电极层的 工序;通过在透明电极层与金属电极层之间施加与在半导体层中产生 的光电动势反向的电压,在金属电极层中形成第一针孔的工序;在金 属电极层上和第一针孔内形成树脂层的工序;通过在透明电极层与金 属电极层之间施加逆电压,使得在树脂层中形成的第二针孔内露出金 属电极层的一部分的工序;和通过以树脂层为掩模对金属电极层的一 部分进行蚀刻,去除金属电极层的一部分的工序。
在本发明的特征中,半导体层具有在透明电极上依次形成的第一 半导体层、透光性导电层和第二半导体层,在形成第一针孔的工序中, 第一针孔也可以至少贯通金属电极层和第二半导体层。
依据本发明,能够提供可以抑制透明电极与金属电极之间的微观 短路发生的太阳能电池组件的制造方法。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的截面图。
图2是本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的概略图。
图3是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的制造 工序的图(之一)。
图4是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的制造 工序的图(之二)。
图5是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的制造 工序的图(之三)。
图6是本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的截面图。
图7是用于说明本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的制造 工序的图(之一)。
图8是用于说明本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的制造 工序的图(之二)。
图9是用于说明本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的制造 工序的图(之三)。
1:透明基板
2:透明电极层
3:半导体层
3a:第一半导体层
3b:透光性导电层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的