[发明专利]等离子体测定方法、等离子体测定装置和存储介质无效
申请号: | 200980100651.5 | 申请日: | 2009-01-30 |
公开(公告)号: | CN101821837A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 伊藤融;川上雅人;永关澄江;传宝一树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 测定 方法 装置 存储 介质 | ||
1.一种等离子体测定方法,其将包含电负性气体和电正性气体的等离子体生成用气体供给到真空容器内,向该等离子体生成用气体供给能量从而在真空容器内生成等离子体,利用位于等离子体气体中的朗缪尔探针对所获得的真空容器内的等离子体的电特性进行测定,该等离子体测定方法的特征在于,包括:
阶段性地改变从包括流量比、所述真空容器内的压力和所述能量的大小的处理条件的参数中选择的参数,基于至少三种以上的处理条件生成等离子体的工序,其中,所述流量比是被供给到所述真空容器内的等离子体生成气体中的电负性气体与电正性气体的流量比;
对位于等离子体中的朗缪尔探针施加电压,按各处理条件取得表示该施加的电压与流过该探针的电流的关系的电流电压曲线,从而得到电流电压曲线组的工序;和
根据在该工序取得的电流电压曲线组求取电正性等离子体区域与电负性等离子体区域的边界的处理条件的工序。
2.如权利要求1所述的等离子体测定方法,其特征在于:
求取所述处理条件的工序,通过计算机根据所述参数的变化量和所述电流电压曲线的变化量进行。
3.如权利要求1所述的等离子体测定方法,其特征在于:
取得所述电流电压曲线的工序包括:将每一个处理条件的电流电压曲线显示在计算机的同一显示画面上的工序。
4.一种等离子体测定方法,其将包含电负性气体和电正性气体的等离子体生成用气体供给到真空容器内,向该等离子体生成用气体供给能量从而在真空容器内生成等离子体,利用位于等离子体中的朗缪尔探针对所获得的真空容器内的等离子体的电特性进行测定,该等离子体测定方法的特征在于,包括:
向所述真空容器供给电正性气体,将包括所述真空容器内的压力和所述能量的大小的处理条件的参数设定为基准值,生成基准等离子体的工序;
对位于基准等离子体中的朗缪尔探针施加电压,取得表示该施加的电压与流过该探针的电流的关系的参照用的电流电压曲线的工序;
向所述真空容器供给所述等离子体生成用气体,生成被测定对象的等离子体的工序;
对位于通过该工序生成的等离子体中的朗缪尔探针施加电压,取得表示该施加的电压与流过该探针的电流的关系的、与被测定对象的等离子体对应的电流电压曲线的工序;和
将与该被测定对象的等离子体对应的电流电压曲线与所述参照用的电流电压曲线进行比较,判定该被测定对象的等离子体是电正性等离子体还是电负性等离子体的工序。
5.如权利要求4所述的等离子体测定方法,其特征在于:
取得所述电流电压曲线的工序包括:将参照用的电流电压曲线和与被测定对象的等离子体对应的电流电压曲线显示在计算机的同一显示画面上的工序。
6.如权利要求1或4所述的等离子体测定方法,其特征在于:
所述电负性气体是CF4气体、SF6气体、Cl2气体和O2气体中的任一种气体。
7.一种等离子体测定装置,其将包含电负性气体和电正性气体的等离子体生成用气体供给到真空容器内,向该等离子体生成用气体供给能量从而在真空容器内生成等离子体,并对所获得的真空容器内的等离子体的电特性进行测定,该等离子体测定装置的特征在于,包括:
朗缪尔探针,其配置于在所述真空容器内生成的等离子体中;
电源部,其对所述朗缪尔探针施加电压;
电流计,其测定流过所述朗缪尔探针的电流值;
控制部,其包括电流电压曲线制作部,该电流电压曲线制作部根据所述电压值和电流值制作该等离子体的电流电压曲线;和
显示部,其显示由所述电流电压曲线制作部制作的电流电压曲线,其中,
所述控制部阶段性地改变从包括流量比、所述真空容器内的压力和所述能量的大小的处理条件的参数中选择的参数,基于至少三种以上的等离子体条件生成等离子体,在所述显示部的同一画面上显示各等离子体的电流电压曲线,其中,所述流量比是被供给到真空容器内的电负性气体与电正性气体的流量比。
8.如权利要求7所述的等离子体测定装置,其特征在于,还包括:
根据所述参数的变化量和所述电流电压曲线的变化量,求取电正性等离子体区域与电负性等离子体区域的边界的处理条件的单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造